[發明專利]用于制造半導體器件的復合晶圓

無效

• 申請號: 201210545802.1
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103165625A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: A·康迪莫夫;J·拉姆德尼;K·斯瓦米納坦
• 申請（專利權）人: 電力集成公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/762
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 楊勇;鄭建暉

1.一種復合晶圓，包括：

第一襯底，具有第一豎直厚度和一個頂部表面，所述頂部表面被制備處于用于隨后的半導體材料外延沉積的狀態；

一個載體襯底，布置在該第一襯底下方，該載體襯底具有大于所述第一豎直厚度的第二豎直厚度；以及

一個間層，將所述第一襯底鍵合至所述載體襯底。

2.根據權利要求1所述的復合晶圓，其中所述第一厚度在100-200μm厚的近似范圍內。

3.根據權利要求1所述的復合晶圓，其中所述第二厚度為近似400μm厚或者更厚。

4.根據權利要求1所述的復合晶圓，其中所述第一襯底包括藍寶石。

5.根據權利要求1所述的復合晶圓，其中所述載體襯底選自藍寶石、硅、碳化硅、金剛石、氮化鎵、氮化鋁、氮化硼和氧化鋅。

6.根據權利要求1所述的復合晶圓，其中所述頂部表面是被拋光的狀態。

7.一種方法，包括：

將第一襯底鍵合至一個載體襯底，所述第一襯底具有一個頂部表面，并且具有第一材料類型和第一厚度，所述載體襯底具有第二材料類型和大于所述第一厚度的第二厚度；

在所述第一襯底上形成一個或多個氮化物層；

在所述一個或多個氮化物層中制造基于氮化物的半導體器件。

8.根據權利要求7所述的方法，包括解鍵合所述載體襯底。

9.根據權利要求7所述的方法，其中鍵合步驟包括在所述第一襯底和所述載體襯底之間形成一個間層，所述間層將所述載體襯底鍵合至所述第一襯底。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述間層包括二氧化硅。

11.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一襯底包括藍寶石，所述第一厚度在100-200μm厚的近似范圍內。

12.根據權利要求7所述的方法，其中所述第二厚度為近似400μm厚或更厚。

13.根據權利要求7所述的方法，其中所述載體襯底選自藍寶石、硅、碳化硅、金剛石、氮化鎵、氮化鋁、氮化硼和氧化鋅。

14.根據權利要求8所述的方法，其中解鍵合步驟包括在化學溶液中進行濕蝕刻。

15.根據權利要求8所述的方法，其中所述基于氮化物的半導體器件在晶圓的一個個裸片上形成，并且該方法還包括在解鍵合步驟之前分離所述一個個裸片。

16.根據權利要求8所述的方法，其中所述基于氮化物的半導體器件在晶圓的一個個裸片上形成，并且該方法還包括在解鍵合步驟之后分離所述一個個裸片。

17.根據權利要求7所述的方法，還包括在形成所述一個或多個氮化物層之前拋光所述第一襯底的頂部表面。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述頂部表面的拋光形成原子級平坦的頂部表面。

19.一種方法，包括：

提供第一襯底和一個載體襯底，所述第一襯底具有第一材料類型和范圍在100-200μm厚的第一厚度，所述載體襯底具有第二材料類型和至少350μm厚的第二厚度；以及

將所述第一襯底鍵合至所述載體襯底。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述鍵合包括在所述第一襯底和所述載體襯底之間形成一個間層材料，所述間層材料粘結至所述第一襯底和所述載體襯底。

21.根據權利要求19所述的方法，其中所述鍵合包括將所述第一襯底粘結地貼附至所述載體襯底。

22.根據權利要求19所述的方法，其中所述第一材料類型和所述第二材料類型分別具有大體上彼此匹配的第一熱膨脹系數和第二熱膨脹系數。

23.根據權利要求19所述的方法，其中所述第一材料類型選自藍寶石、金剛石、氮化鎵、氮化鋁、氮化硼、碳化硅和氧化鋅。

24.根據權利要求19所述的方法，其中所述第二材料類型選自硅、藍寶石和銅。

25.根據權利要求19所述的方法，還包括在所述第一襯底上制造基于氮化物的半導體材料。