[發明專利]半導體表面結構側壁表征方法

在審

• 申請號: 201210545603.0
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103065992A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 姚樹歆;李銘;儲佳
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導體表面結構，并定義圖形化區域；

測量所述圖形化區域頂部線寬CD₁、底部線寬CD₂；

提取所述半導體表面結構介質層厚度D；

根據所述頂部線寬CD₁、底部線寬CD₂以及半導體表面結構介質層厚度D計算所述半導體表面結構側壁傾角，實現半導體表面結構側壁表征。

2.根據權利要求1所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述測量圖形化區域頂部線寬CD₁、底部線寬CD₂的步驟進一步包括：

根據圖形化區域特征尺寸W在距離圖形化區域邊緣W/2處標記平行于圖形化區域邊緣的基準線；

分別測量所述圖形化區域頂部第一側壁邊緣和第二側壁邊緣至基準線處線寬CDW₁、CDW₁′及底部第一側壁邊緣和第二側壁邊緣至基準線處線寬CDW₂、CDW₂′；

此時，根據所述圖形化區域頂部第一側壁邊緣和第二側壁邊緣至基準線處線寬CDW₁、CDW₁′、底部第一側壁邊緣和第二側壁邊緣至基準線處線寬CDW₂、CDW₂′以及半導體表面結構介質層厚度D分別計算所述半導體表面結構第一側壁傾角α₁、α₂，實現半導體表面結構第一側壁和第二側壁表征。

3.根據權利要求1或2所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述半導體表面結構為外延或沉積或濺射生長的介質層結構，或刻蝕形成的溝槽結構。

4.根據權利要求3所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述圖形化區域為半導體表面凸起的島狀結構，或凹陷的溝槽結構。

5.根據權利要求1或2所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述線寬的測量采用光學顯微鏡或線寬掃描電子顯微鏡或光學線寬測量儀實現。

6.根據權利要求5所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述線寬的測量采用線寬掃描電子顯微鏡用閾值測量法或線性測量法實現。

7.根據權利要求1或2所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述半導體表面結構介質層厚度為介質層外延或沉積或濺射的設計尺寸，或溝槽的預設刻蝕深度。

8.根據權利要求1或2所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述半導體表面結構介質層厚度通過膜厚儀測量得到。

9.根據權利要求1或2所述的半導體表面結構側壁表征方法，其特征在于，所述圖形化區域線寬測量范圍大于所述圖形化區域特征尺寸W。