[發(fā)明專利]液晶顯示面板的像素結構及像素形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210545021.2
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103869560A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 胡憲堂;任珂銳;賴瑞麒
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種液晶顯示面板的像素結構，包括：

一第一基板；

一彩色濾光層，形成于所述第一基板上，所述彩色濾光層包括：

多個濾光區(qū)塊，用以過濾光線；及

多個遮光區(qū)塊，用以阻隔光線；

一主間隔單元，形成于所述多個遮光區(qū)塊的一遮光區(qū)塊上；

一子間隔單元，形成于所述多個遮光區(qū)塊的另外一遮光區(qū)塊上；

一第二基板；

一薄膜晶體管，形成于所述第二基板上；

一覆膜層，形成于所述薄膜晶體管及所述第二基板的上方；及

一液晶層，位于所述第一基板和所述第二基板之間；

其特征在于，所述覆膜層鄰近所述主間隔單元的上表面到所述第二基板的距離大于所述覆膜層鄰近所述子間隔單元的上表面到所述第二基板的距離。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述薄膜晶體管的位置是在所述主間隔單元的下方。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述覆膜層具有一穿孔，形成于所述薄膜晶體管的一側，所述穿孔的底部到所述第二基板的距離小于所述覆膜層鄰近所述子間隔單元的上表面到所述第二基板的距離。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，還包括一透明導電層，形成于所述覆膜層上。

5.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述透明導電層是橫跨過所述薄膜晶體管。

6.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，還包括一掃描線及一數(shù)據(jù)線，電連接于所述薄膜晶體管，所述透明導電層是橫跨過所述掃描線及/或所述資料線。

7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述主間隔單元及所述子間隔單元的長度相同。

8.一種液晶顯示面板的像素形成方法，其特征在于，包括：

形成一彩色濾光層，于一第一基板上，所述彩色濾光層包括多個濾光區(qū)塊，用以過濾光線，及多個遮光區(qū)塊，用以阻隔光線；

形成一主間隔單元及一子間隔單元于所述多個遮光區(qū)塊上；

形成一薄膜晶體管于一第二基板上；

形成一覆膜層于所述薄膜晶體管及所述第二基板上，所述覆膜層鄰近所述主間隔單元的上表面到所述第二基板的距離大于所述覆膜層鄰近所述子間隔單元的上表面到所述第二基板的距離，且所述覆膜層具有一穿孔，形成于所述薄膜晶體管的一側，所述穿孔的底部到所述第二基板的距離小于所述覆膜層鄰近所述子間隔單元的上表面到所述第二基板的距離；及

形成一液晶層于所述第一基板和所述第二基板之間。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的是形成于所述主間隔單元的下方。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述液晶層是以滴注方式形成于所述第一基板和所述第二基板之間。

11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述覆膜層是以半色調光罩制程所形成。

12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述主間隔單元及所述子間隔單元之長度相同。

13.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括形成一透明導電層于所述覆膜層上。