[發明專利]低溫度系數硅電壓基準二極管的制作方法及結構在審
| 申請號： | 201210544947.X | 申請日： | 2012-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN103871875A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 徐年惠;張麗;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國振華集團永光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 貴陽中新專利商標事務所 52100 | 代理人： | 劉楠 |
| 地址： | 550018 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溫度 系數 電壓 基準 二極管 制作方法 結構 | ||
1.?一種低溫度系數硅電壓基準二極管的制作方法，其特征在于：該方法通過硅正向PN結具有的負溫度系數與硅反向PN結具有的正溫度系數進行補償作用制成低溫度系數硅電壓基準二極管的管芯；管芯是在一顆雙面擴散硅芯片上疊加兩顆單面擴散硅芯片構成。
2.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于：所述雙面擴散硅芯片一面為正向PN結，另一面為反向PN結。
3.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于：所述單面擴散硅芯片只有一個正向PN結。
4.一種根據權利要求1-3任一權利要求所述制作方法構成的低溫度系數硅電壓基準二極管，包括管芯，管芯兩端與電極（1）連接，管芯外設有外殼（2）；其特征在于：管芯包括雙面擴散硅芯片（3），雙面擴散硅芯片（3）上設有兩層單面擴散硅芯片（4）；上層單面擴散硅芯片和雙面擴散硅芯片（3）分別與電極（1）連接。
5.根據權利要求4所述二極管，其特征在于：所述單面擴散硅芯片（4）是在P襯底（5）的一面設置N芯片（6），在P襯底與N芯片之間擴散正向PN結（7）。
6.根據權利要求4所述二極管，其特征在于：所述雙面擴散硅芯片（3）是在P襯底（5）的兩面設置N芯片（6），在P襯底一面與N芯片之間擴散正向PN結（7），在P襯底另一面與N芯片之間擴散反向PN結（12）。
7.根據權利要求4所述二極管，其特征在于：所述外殼（2）為玻璃外殼。
8.根據權利要求4所述二極管，其特征在于：所述電極（1）為鉬電極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
