[發(fā)明專利]大功率硅瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法及結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210544943.1
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103871874A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳貴松;程勇;楊秀斌;楊輝
• 申請（專利權(quán)）人: 中國振華集團永光電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L25/07;H01L29/861
• 代理公司: 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 52100
• 代理人: 劉楠

1.?一種大功率硅瞬態(tài)電壓抑制二極管的制作方法，其特征在于：該方法通過一組芯片串聯(lián)疊加形成芯片組，以提高硅瞬態(tài)電壓抑制二極管的瞬態(tài)脈沖峰值功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片采用熱膨脹系數(shù)約等于6.95×10^-6/℃的硅片制成；硅片兩面進行多元金屬化處理，在芯片表面形成鈦—鎳—金或鈦—鎳—銀層，以解決焊接可靠性問題。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片為正六邊形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片組的兩端以及芯片與芯片之間通過焊片焊接，焊片與芯片材料的熱膨脹系數(shù)之差小于0.7×10^-6/℃，以解決芯片與焊片之間的熱匹配問題。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述制作方法，其特征在于：所述焊片采用熱膨脹系數(shù)約等于7.6×10^-6/℃，熱導(dǎo)率約等于190W/m.K，厚度為0.5mm的鉬銅片，鉬銅片為外切于芯片的圓形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片組包括兩個芯片，以承受20KW～30KW瞬態(tài)脈沖峰值功率。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片組包括三個芯片，以承受35KW～40KW瞬態(tài)脈沖峰值功率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片組包括四個芯片，以承受45KW～50KW瞬態(tài)脈沖峰值功率。

9.一種根據(jù)權(quán)利要求1-8任一權(quán)利要求所述制作方法構(gòu)成的大功率硅瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于：包括與負極（1）連接的基座（2），基座（2）上設(shè)有一組間隔設(shè)置的鉬銅片（3）和芯片（4）；頂部鉬銅片經(jīng)觸絲（5）與正極（6）連接；基座（2）上設(shè)有管殼（7），管殼（7）頂部設(shè)有絕緣密封（8）。