[發(fā)明專利]納米多孔銅薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210544649.0 | 申請日: | 2012-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103014626A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇江濱;蔣美萍;王紅紅 | 申請(專利權(quán))人: | 常州大學(xué) |
| 主分類號: | C23C14/14 | 分類號: | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 李媛媛 |
| 地址: | 213164 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 多孔 薄膜 制備 方法 | ||
1.納米多孔銅薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)采用JGP500A型平衡磁控濺射鍍膜系統(tǒng),先將干凈的絕緣載玻片固定在樣品盤上作為NPC薄膜的間接襯底,再將純度為99.99%的銅靶安裝在射頻源上,并調(diào)節(jié)襯底與銅靶之間的距離為15cm;
2)關(guān)上腔門抽真空至5.0×10-4?Pa,然后通流量為15sccm、純度為99.999%的高純Ar氣,并保持腔室氣壓為0.1pa;
3)在室溫和施加0V或–100V直流偏壓條件下,用RF100W的功率先在絕緣載玻片上預(yù)濺射一層金屬銅膜,作為NPC薄膜的直接襯底;
4)在室溫和施加–100V直流偏壓條件下,再用RF100W的功率作進(jìn)一步濺射沉積,誘導(dǎo)入射銅原子在銅膜襯底表面上進(jìn)行選擇性優(yōu)先沉積,制備得到NPC薄膜。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米多孔銅薄膜的制備方法,其特征在于:所述步驟3)中的銅膜厚度為30nm,所述步驟4)中NPC薄膜的厚度為120nm。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米多孔銅薄膜的制備方法,其特征在于:所述步驟3)中,當(dāng)施加0V直流偏壓時,制備得到的NPC薄膜為多孔的三棱柱狀結(jié)構(gòu),其中三棱柱的截面尺寸為42nm,溝壑寬度為20nm;當(dāng)施加–100V直流偏壓時,制備得到的NPC薄膜為雙連續(xù)的“三角韌帶–孔道”結(jié)構(gòu),其中三角韌帶的截面尺寸為21nm,孔道尺寸為12nm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





