[發(fā)明專利]靜電吸盤及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210544329.5
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103050429A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 厲心宇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種靜電吸盤，用于對放置在其上的晶片產(chǎn)生靜電吸力，包括：

基板，其主體由介電材料制成；

第一電極，由導(dǎo)電材料制成，鋪設(shè)于所述基板中；

第二電極，由導(dǎo)電材料制成，與所述第一電極間隔一定距離鋪設(shè)于所述基板中所述第一電極上方；

其中，所述第一電極、所述第二電極以及兩者之間的介電材料構(gòu)成一電容，所述電容的一極外接一直流脈沖電源。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述電容與所述直流脈沖電源連接的一極為所述第一電極。

3.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤，其特征在于，所述直流脈沖電源的脈沖占空比為20％-80％，脈沖頻率為1HZ-10KHZ。

4.如權(quán)利要求2或3所述的靜電吸盤，其特征在于，所述第一電極與第二電極面積相等，所述電容大小為0.1pf-1pf。

5.如權(quán)利要求4所述的靜電吸盤，其特征在于，所述基板的體電阻率大于1×10¹⁴Ω·cm。

6.如權(quán)利要求4所述的靜電吸盤，其特征在于，所述介電材料為氧化鋁或氮化鋁。

7.如權(quán)利要求4所述的靜電吸盤，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為鋁。

8.如權(quán)利要求2或3所述的靜電吸盤，其特征在于，所述基板的上表面均勻分布有多個突起。

9.如權(quán)利要求8所述的靜電吸盤，其特征在于，所述突起的高度為1-100μm。

10.一種靜電吸盤的制備方法，包括如下步驟：

a)、利用氧化鋁或者氮化鋁的燒結(jié)體形成靜電吸盤的基座；

b)、利用絲網(wǎng)印刷法或者化學(xué)氣相沉淀方法在所述基座上形成第一電極；

c)、在所述第一電極上形成一層電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層的材料為氧化鋁或者氮化鋁；

d)、用高溫加壓的方法將所述基座、所述第一電極、所述電介質(zhì)層壓制在一起；

e)、利用絲網(wǎng)印刷法或者化學(xué)氣相沉淀方法在所述電介質(zhì)層上方形成第二電極；

f)、使用高溫加壓，將所述第二電極與所述基座、所述第一電極燒結(jié)成一體；

g)、在所述第二電極上方再燒結(jié)一層氧化鋁或氮化鋁，形成基板；

h)、在所述基板的表面采用噴砂后打磨的方法形成多個突起；

i)、將外接電源的連接端連接到所述第一電極上。