[發明專利]一種發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201210544173.0
• 申請日: 2012-12-13
• 公開（公告）號: CN103035790A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 童吉楚;魏世禎;陳柏松;胡加輝;謝文明
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括：襯底、依次層疊在所述襯底上的緩沖層、不摻雜的GaN層、n型摻雜的GaN層、多量子阱層和p型層，所述多量子阱層包括量子壘層和與所述量子壘層相互交替生長的量子阱層，其特征在于，所述外延片還包括設于所述多量子阱層和所述p型層之間的n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，所述多量子阱層中，靠近所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層的1~25個所述量子壘層中，至少一個所述量子壘層為p型摻雜的量子壘層。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱層中最靠近所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層的所述量子壘層為所述p型摻雜的量子壘層。

3.根據權利要求2所述的外延片，其特征在于，所述最靠近所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層的量子壘層的厚度大于所述多量子阱層中其他所述量子壘層。

4.根據權利要求1-3任一項所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱層中的所述量子壘層為GaN層、InGaN層、AlGaN層或InAlGaN層中的至少一種。

5.根據權利要求1-3任一項所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層包括多個In_xAl_yGa_1-x-yN子層，且所述多個In_xAl_yGa_1-x-yN子層中，n型摻雜的摻雜濃度不同。

6.根據權利要求5所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層采用In或Al中的至少一種摻雜。

7.根據權利要求1-3任一項所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層包括多個In_xAl_yGa_1-x-yN子層，且所述多個In_xAl_yGa_1-x-yN子層中，In、Al、Ga的組分含量不同。

8.根據權利要求1-3任一項所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層為超晶格結構。

9.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層中的x、y值是周期性變化的。

10.一種制備如權利要求1所述的外延片的方法，其特征在于，所述方法包括在所述襯底上依次生長低溫緩沖層、不摻雜的GaN層、n型摻雜的GaN層、多量子阱層、n型摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN層和p型層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。