[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210544173.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103035790A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 童吉楚;魏世禎;陳柏松;胡加輝;謝文明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括：襯底、依次層疊在所述襯底上的緩沖層、不摻雜的GaN層、n型摻雜的GaN層、多量子阱層和p型層，所述多量子阱層包括量子壘層和與所述量子壘層相互交替生長(zhǎng)的量子阱層，其特征在于，所述外延片還包括設(shè)于所述多量子阱層和所述p型層之間的n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，所述多量子阱層中，靠近所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層的1~25個(gè)所述量子壘層中，至少一個(gè)所述量子壘層為p型摻雜的量子壘層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱層中最靠近所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層的所述量子壘層為所述p型摻雜的量子壘層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延片，其特征在于，所述最靠近所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層的量子壘層的厚度大于所述多量子阱層中其他所述量子壘層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱層中的所述量子壘層為GaN層、InGaN層、AlGaN層或InAlGaN層中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層包括多個(gè)InxAlyGa1-x-yN子層，且所述多個(gè)InxAlyGa1-x-yN子層中，n型摻雜的摻雜濃度不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層采用In或Al中的至少一種摻雜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層包括多個(gè)InxAlyGa1-x-yN子層，且所述多個(gè)InxAlyGa1-x-yN子層中，In、Al、Ga的組分含量不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層為超晶格結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層中的x、y值是周期性變化的。
10.一種制備如權(quán)利要求1所述的外延片的方法，其特征在于，所述方法包括在所述襯底上依次生長(zhǎng)低溫緩沖層、不摻雜的GaN層、n型摻雜的GaN層、多量子阱層、n型摻雜的InxAlyGa1-x-yN層和p型層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華燦光電股份有限公司，未經(jīng)華燦光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210544173.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
