[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210544041.8
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103325916A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王冬雷;丁欣
• 申請（專利權(quán)）人: 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/00
• 代理公司: 廣東秉德律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與其制造方法。

【背景技術(shù)】

能源短缺是當今世界的熱門話題，在照明行業(yè)中，LED光源因為它的高效、節(jié)能、環(huán)保、長壽命等多種優(yōu)點，是取代能耗高，壽命短的傳統(tǒng)照明的首選。現(xiàn)有LED光源的芯片都是封裝在非透明的基板上，最常用的非透明基板就是鋁基板。現(xiàn)有產(chǎn)品的缺陷是芯片封裝在非透明的基板上一部分光被非透明的基板擋住，光的發(fā)射角度最大也只有180度，光的利用率低，結(jié)構(gòu)單一并且采用了鋁基板的結(jié)構(gòu)生產(chǎn)成本也比較高。

CN201866576專利公開一種LED光源，所述LED光源包括透明基板、芯片、支架、金線和熒光粉，芯片與支架通過金線連接，芯片封裝在透明基板內(nèi)，透明基板上設(shè)有內(nèi)凹槽；熒光粉分為上熒光粉層和下熒光粉層，上熒光粉層設(shè)在芯片上方，下熒光粉層設(shè)在芯片下方；上熒光粉層、芯片和下熒光粉層封裝在透明基板的內(nèi)凹槽中；所述透明基板是透明有機玻璃或透明無機玻璃，所述透明無機玻璃是透明水晶玻璃。

但是由于有機玻璃或透明無機玻璃導熱系數(shù)較低，不利于LED光源散熱，因此根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的LED光源散熱不良，不利于LED光源壽命延長。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明要解決的第一個技術(shù)問題是提供一種散熱較好、壽命較長的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明要解決的第二個技術(shù)問題是提供一種能制備出散熱較好、壽命較長的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。

上述第一個技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括透明基板、LED芯片及導線支架；所述導線支架安設(shè)于所述透明基板上，所述LED芯片固定在所述透明基板上，所述LED芯片的電極與所述導線支架連接；所述透明基板為透明玻璃或透明藍寶石基板或透明陶瓷或有機透明塑料。

所述透明基板的透光率大于90％。

所述透明基板的單面、雙面或立體面均勻鍍制透明高導熱薄膜。

所述透明高導熱薄膜的透光率大于90％、導熱系數(shù)大于等于400w/m·k。

所述透明高導熱薄膜采用鉆石薄膜或類鉆石薄膜或類鉆碳薄膜。

所述導線支架包括負極支架和正極支架，負極支架包括一負主導線及多個與負主導線連接的負支導線，正極支架包括一正主導線及多個與正主導線連接的正支導線；LED芯片的正電極、負電極分別對應連接負極支架的負支導線、正極支架的正支導線。

還包括一固定在透明基板上的透明封裝膠層，導線支架設(shè)有對外連接的外負極連接點和外正極連接點；透明封裝膠層覆蓋了LED芯片和導線支架，并露出導線支架的外負極連接點和外正極連接點。

由上述技術(shù)方案可見，本發(fā)明使用導熱系數(shù)較低透明玻璃或透明藍寶石基板作為透明基板，散熱效果好，利于LED芯片壽命延長，從而利于本產(chǎn)品的壽命延長。本發(fā)明使用鉆石薄膜或類鉆石薄膜或類鉆碳薄膜作為透明高導熱薄膜，利用透明高導熱薄膜具有良好的絕緣性、較高的操作溫度、較高的熱傳導率，進一步改善散熱效果，利于LED芯片和本產(chǎn)品的壽命延長。

上述第二個技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)、在透明基板上的單面、雙面或立體面均勻鍍制上述透明高導熱薄膜，所述透明基板為透明玻璃或透明藍寶石基板或透明陶瓷或有機透明塑料；

2)、在透明基板的鍍制有透明高導熱薄膜的面上，設(shè)置導線支架；

3)、將LED芯片固定在透明基板上，將LED芯片的電極與導線支架連接；

4)、使用透明封裝膠將LED芯片和導線支架覆蓋形成透明封裝膠層，露出導線支架的外正極連接點和外負極連接點。

所述透明基板的透光率大于90％。

所述透明基板的單面、雙面或立體面均勻鍍制透明高導熱薄膜。

所述透明高導熱薄膜的透光率大于90％、導熱系數(shù)大于等于400w/m·k。

所述透明高導熱薄膜采用鉆石薄膜或類鉆石薄膜或類鉆碳薄膜。

所述導線支架包括負極支架和正極支架，負極支架包括一負主導線及多個與負主導線連接的負支導線，正極支架包括一正主導線及多個與正主導線連接的正支導線；LED芯片的負電極、正電極分別對應連接負極支架的負支導線、正極支架的正支導線。