[發明專利]刻蝕掩模膜的測評

有效

• 申請號: 201210543905.4
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN103123441A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 五十嵐慎一;吉川博樹;稻月判臣;金子英雄
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/44
• 分類號: G03F1/44;G03F1/80;G03F1/32
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李躍龍

1.連同光掩模坯料，其包含透明襯底、該襯底上用于形成光掩模圖案的圖案形成膜以及圖案形成膜上用于在圖案形成膜的刻蝕期間作為掩模的刻蝕掩模膜，

一種測評所述刻蝕掩模膜的方法，包括步驟：

測量第一刻蝕完成時間(C1)，其是在施加于圖案形成膜的刻蝕條件下刻蝕該刻蝕掩模膜時所花費的時間，此時由圖案形成膜形成光掩模圖案，

測量第二刻蝕完成時間(C2)，其是在施加于刻蝕掩模膜的刻蝕條件下刻蝕該刻蝕掩模膜時所花費的時間，此時由刻蝕掩模膜形成刻蝕掩模圖案，以及

計算第一刻蝕完成時間與第二刻蝕完成時間的比值(C1/C2)，由此測評刻蝕掩模膜的性能。

2.如權利要求1所述的測評方法，其中施加于圖案形成膜的刻蝕是氟基干法刻蝕，并且施加于刻蝕掩模膜的刻蝕是氯基干法刻蝕。

3.如權利要求1所述的測評方法，其中圖案形成膜由包含硅和其它金屬的材料形成，并且刻蝕掩模膜由包含鉻的無硅材料形成。

4.如權利要求2所述的測評方法，其中圖案形成膜由包含硅和其它金屬的材料形成，并且刻蝕掩模膜由包括鉻的無硅材料形成。