[發(fā)明專利]水熱法生長閃爍晶體硅酸鉍的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210543487.9 | 申請日： | 2012-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN103014830A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周海濤;何小玲;霍漢德;張昌龍;王金亮;覃世杰;左艷彬;盧福華 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國有色桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院有限公司 |
| 主分類號： | C30B7/10 | 分類號： | C30B7/10;C30B29/34 |
| 代理公司： | 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 水熱法 生長 閃爍 晶體 硅酸 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及閃爍晶體硅酸鉍的生長方法，具體涉及通過水熱法生長閃爍晶體硅酸鉍的方法。
背景技術(shù)
閃爍晶體硅酸鉍（Bi4Si3O12，簡稱BSO）是Bi2O3-SiO2二元體系中一個穩(wěn)定的化學(xué)物相，另一個為Bi12SiO20物相，他們的化學(xué)計量比分別是2Bi2O3:3SiO2和6Bi2O3:1SiO2。兩種晶體的物理性質(zhì)及應(yīng)用方向具有很大差別，其中Bi4Si3O12具有優(yōu)異的閃爍性能而主要被用于高能射線探測方面，而Bi12SiO20具有優(yōu)良的光折變性能而被應(yīng)用于光信息存儲和處理領(lǐng)域(Bi12SiO20晶體幾乎無閃爍性能)。
BSO晶體屬立方晶系，閃鉍礦結(jié)構(gòu)，Td6-I43d空間群，與現(xiàn)已廣泛應(yīng)用的閃爍晶體Bi4Ge3O12(簡稱BGO)類質(zhì)同構(gòu)。在閃爍性能方面，BSO晶體具有極快的衰減時間(100ns)，比BGO晶體快3倍，抗輻照損傷性能也優(yōu)于BGO晶體，雖然其光產(chǎn)額只有BGO的20%，但由于SiO2的價格遠低于GeO2，因此如果能夠生長出BSO去替代BGO，再加上BSO晶體更加優(yōu)異的閃爍性能，BSO將具有很大的市場前景。
目前BSO晶體的生長研究主要集中在常用的提拉法和坩堝下降法。由于Bi2O3和SiO2的熔點和密度相差很大及Bi2O3-SiO2具有復(fù)雜的相關(guān)系，使得BSO熔體的化學(xué)組成均勻性和析晶行為比BGO難以控制。采用提拉法時，晶體容易開裂且很難得到穩(wěn)定的生長工藝。采用坩堝下降法時，生長的晶體表面覆蓋一層黃色析出物，頂部析出一截白色物質(zhì)，這些析出物的產(chǎn)生嚴重影響了晶體的質(zhì)量以及晶體生長的穩(wěn)定性。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國有色桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院有限公司，未經(jīng)中國有色桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210543487.9/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
