[發(fā)明專利]一種內(nèi)存可靠性測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210541340.6
• 申請(qǐng)日: 2012-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN103019909B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王磊;王守昊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F11/30
• 分類號(hào): G06F11/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)配件測(cè)試方法，具體的說是一種測(cè)試全面、電壓可調(diào)的內(nèi)存可靠性測(cè)試方法。

背景技術(shù)

目前業(yè)界在內(nèi)存可靠性測(cè)試中，多在高溫環(huán)境中采用針對(duì)主機(jī)輸入端電壓進(jìn)行拉偏，同時(shí)整個(gè)主機(jī)持續(xù)運(yùn)行針對(duì)內(nèi)存的讀、寫壓力程序，來評(píng)測(cè)主機(jī)搭配內(nèi)存的可靠性。而所有主板在設(shè)計(jì)時(shí)內(nèi)存都有各自的VR電路，無論板子的輸入電壓在允許的范圍內(nèi)出現(xiàn)負(fù)壓或高壓的情況，VR電路都會(huì)調(diào)整已保證以一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定電壓值給內(nèi)存供電，因此目前的業(yè)界針對(duì)內(nèi)存可靠性的測(cè)試方法存在局限性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種過程簡單、通過調(diào)整電壓完成內(nèi)存內(nèi)存可靠性測(cè)試的方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是按以下方式實(shí)現(xiàn)的，該一種內(nèi)存可靠性測(cè)試方法，其具體步驟為：

1）準(zhǔn)備測(cè)試硬件平臺(tái)：準(zhǔn)備測(cè)試主機(jī)平臺(tái)、預(yù)測(cè)試的內(nèi)存條以及在測(cè)試主機(jī)上安裝操作系統(tǒng)和測(cè)試軟件，并將VID撥碼開關(guān)電路接入主板上內(nèi)存VR控制器；

2）將測(cè)試平臺(tái)置于高溫環(huán)境中，通過撥碼開關(guān)調(diào)整至少兩組內(nèi)存的供電電壓，開始測(cè)試；

3）不同電壓環(huán)境下分別測(cè)試至少24小時(shí)，該不同電壓環(huán)境下的測(cè)試時(shí)間相同，全部運(yùn)行完成后，檢查內(nèi)部文件中記錄的內(nèi)存報(bào)錯(cuò)提示并記錄，結(jié)束測(cè)試。

在上述技術(shù)方案中，通過測(cè)試考量內(nèi)存在負(fù)壓和高壓的情況下，在高溫、滿使用負(fù)載的環(huán)境中，內(nèi)存持續(xù)工作的穩(wěn)定性，來完成對(duì)測(cè)試機(jī)臺(tái)中搭配內(nèi)存可靠性的評(píng)估。

所述步驟1）中VID撥碼開關(guān)電路與VR控制器之間的連接電路包括撥碼開關(guān)、VR控制器、兩個(gè)P溝道MOS、保護(hù)電阻L和電容C，其具體連接方式為：在電壓輸入端與VR控制器之間接入一MOS管，該MOS管的柵極連接VR控制器、漏極連接電壓輸入端、源極連接第二MOS管的漏極和電阻L的輸入端，所述第二MOS管的柵極連接VR控制器、源極連接地和電容C的輸入端，所述電阻的輸出端、電容輸出端均連接電壓輸出端；上述VR控制器還連接有撥碼開關(guān)。

所述步驟2）中的高溫環(huán)境是指40℃以上的環(huán)境。

所述步驟2）中撥碼開關(guān)設(shè)置并調(diào)整的內(nèi)存供電電壓為1.3V～1.6V。

所述步驟2）中通過撥碼開關(guān)調(diào)整內(nèi)存的供電電壓的具體步驟為：

a、通過VID撥碼開關(guān)使內(nèi)存電壓做正常電壓值加8%～12%的電壓拉偏，運(yùn)行內(nèi)存壓力測(cè)試，模擬在實(shí)際環(huán)境中應(yīng)用對(duì)內(nèi)存的讀/寫訪問，使內(nèi)存的占用率超過90%；

b、通過VID撥碼開關(guān)使內(nèi)存電壓做正常電壓值減8%～12%的電壓拉偏，運(yùn)行內(nèi)存壓力測(cè)試，模擬在實(shí)際環(huán)境中應(yīng)用對(duì)內(nèi)存的讀/寫訪問，使內(nèi)存的占用率超過90%。

所述步驟2）中通過撥碼開關(guān)調(diào)整內(nèi)存的供電電壓的具體步驟為：

a、通過VID撥碼開關(guān)使內(nèi)存電壓做正常電壓值加10%的電壓拉偏，運(yùn)行內(nèi)存壓力測(cè)試，模擬在實(shí)際環(huán)境中應(yīng)用對(duì)內(nèi)存的讀/寫訪問，使內(nèi)存的占用率超過90%；

b、通過VID撥碼開關(guān)使內(nèi)存電壓做正常電壓值減10%的電壓拉偏，運(yùn)行內(nèi)存壓力測(cè)試，模擬在實(shí)際環(huán)境中應(yīng)用對(duì)內(nèi)存的讀/寫訪問，使內(nèi)存的占用率超過90%。

所述步驟3）中的測(cè)試時(shí)間均為48小時(shí)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所產(chǎn)生的有益效果是：

本發(fā)明的一種內(nèi)存可靠性測(cè)試方法具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、構(gòu)思巧妙等特點(diǎn)，本發(fā)明將撥碼開關(guān)電路引入到內(nèi)存可靠性測(cè)試中,改變?cè)瓉頍o法直接對(duì)內(nèi)存電壓按照需求直接進(jìn)行調(diào)整的不足；采用將內(nèi)存運(yùn)行在不同頻率的情況下在高溫、滿負(fù)載的環(huán)境中，采用內(nèi)存實(shí)際供電在負(fù)壓和高壓兩種情況下，通過特定的程序?qū)φ到y(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性，以此來評(píng)估測(cè)試機(jī)臺(tái)中搭配內(nèi)存的可靠性；適用性強(qiáng)，適合廣泛的推廣到多種類型的內(nèi)存可靠性測(cè)試當(dāng)中。

附圖說明

附圖1是本發(fā)明的VID撥碼開關(guān)電路與VR控制器之間的連接電路圖。

附圖2是本發(fā)明的實(shí)施例流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的一種內(nèi)存可靠性測(cè)試方法作以下詳細(xì)說明。

如附圖1所示，該一種內(nèi)存可靠性測(cè)試方法，其具體步驟為：

1）準(zhǔn)備測(cè)試硬件平臺(tái)：準(zhǔn)備測(cè)試主機(jī)平臺(tái)、預(yù)測(cè)試的內(nèi)存條以及在測(cè)試主機(jī)上安裝操作系統(tǒng)和測(cè)試軟件，并將VID撥碼開關(guān)電路接入主板上內(nèi)存VR控制器；

2）將測(cè)試平臺(tái)置于高溫環(huán)境中，通過撥碼開關(guān)調(diào)整至少兩組內(nèi)存的供電電壓，開始測(cè)試；

3）不同電壓環(huán)境下分別測(cè)試至少24小時(shí)，該不同電壓環(huán)境下的測(cè)試時(shí)間相同，全部運(yùn)行完成后，檢查內(nèi)部文件中記錄的內(nèi)存報(bào)錯(cuò)提示并記錄，結(jié)束測(cè)試。