[發明專利]薄型大功率、低正向貼面封裝二極管

有效

• 申請號: 201210541068.1
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103000699A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 安國星;李述洲
• 申請（專利權）人: 重慶平偉實業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封裝環氧樹脂，所述肖特基硅芯片通過焊料焊裝于所述上料片的下段側表面與所述下料片的下段側表面之間，所述封裝環氧樹脂封裝于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封裝環氧樹脂外。

2.根據權利要求1所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述上料片的中部兩側分別設有向兩側外延的凸塊，所述上料片的中部兩側與所述凸塊相接的位置分別設有向中間內縮的凹槽。

3.根據權利要求2所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述凸塊為方形，其寬度為0.5至0.8mm，其外延長度為0.2至0.5mm；所述凹槽為方形，其寬度為0.3至0.6mm，其內縮長度為0.2至0.5mm。

4.根據權利要求1所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述下料片的下端片的引出位置設有向上內縮的凹口。

5.根據權利要求4所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述凹口為半圓形，其直徑為0.3mm。

6.根據權利要求1、4或5所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述下料片的中部用于與所述肖特基硅芯片焊接的位置設有用于阻擋焊料流出至邊緣的環形防流沉槽。

7.根據權利要求6所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述環形防流沉槽的環形框為方形；所述環形防流沉槽為“V”形沉槽，其深度為0.02至0.07mm，其槽口寬度為0.2mm。

8.根據權利要求1-5任何一項所述的薄型大功率、低正向貼面封裝二極管，其特征在于：所述上料片與所述下料片均為銅片。