[發明專利]一種發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201210540920.3
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103035805A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 萬林;魏世禎
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底層、以及依次覆蓋在所述襯底層上的緩沖層、非摻雜的GaN層、N型接觸層、N型擴展層、多量子阱層和P型層；所述N型擴展層是由若干第一子層和若干第二子層交替形成的超晶格結構；所述第一子層采用N型摻雜的Al_xGa_1-xN作為生長材料，0<x<1；所述第二子層采用N型摻雜的GaN作為生長材料。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，每層所述第一子層中Al的濃度為定值且各層所述第一子層中Al的濃度不同，從所述N型擴展層的靠近所述N型接觸層的一側到所述N型擴展層的靠近所述多量子阱層的一側，所述若干第一子層中Al的濃度有規律地均勻變化。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述若干第一子層中Al的濃度是相同的，每層所述第一子層中Al的濃度有規律地均勻變化。

4.根據權利要求2或3所述的外延片，其特征在于，所述Al的濃度有規律地均勻變化為以下變化方式中的一種：均勻增大、均勻減小、均勻增大再均勻減小、均勻減小再均勻增大、均勻增大再均勻減小最后均勻增大、均勻減小再均勻增大最后均勻減小、以先均勻增大再均勻減小為一個變化周期進行均勻變化、以及以先均勻減小再均勻增大為一個變化周期進行均勻變化。

5.根據權利要求1～3所述的外延片，其特征在于，所述第一子層中Al的濃度為1%～30%。

6.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一子層和所述第二子層的厚度均為1～10nm。

7.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述方法包括依次在襯底層上生長緩沖層、非摻雜的GaN層、N型接觸層、N型擴展層、多量子阱層和P型層；生長所述N型擴展層為在所述N型接觸層上交替生長若干第一子層和若干第二子層，形成超晶格結構；所述第一子層采用N型摻雜的Al_xGa_1-xN作為生長材料，0<x<1；所述第二子層采用N型摻雜的GaN作為生長材料。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，每層所述第一子層中Al的濃度為定值且各層所述第一子層中Al的濃度不同，從所述N型擴展層的靠近所述N型接觸層的一側到所述N型擴展層的靠近所述多量子阱層的一側，所述若干第一子層中Al的濃度有規律地均勻變化。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述若干第一子層中Al的濃度是相同的，每層所述第一子層中Al的濃度有規律地均勻變化。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述Al的濃度有規律地均勻變化為以下變化方式中的一種：均勻增大、均勻減小、均勻增大再均勻減小、均勻減小再均勻增大、均勻增大再均勻減小最后均勻增大、均勻減小再均勻增大最后均勻減小、以先均勻增大再均勻減小為一個變化周期進行均勻變化、以及以先均勻減小再均勻增大為一個變化周期進行均勻變化。