[發明專利]共享電壓產生電路無效
| 申請號: | 201210540781.4 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103869859A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 高振球;劉增群 | 申請(專利權)人: | 碩頡科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 共享 電壓 產生 電路 | ||
1.一種共享電壓產生電路,其特征在于,包括:
一信號緩沖單元,操作在一可調電壓與一接地電平下,用以接收一交流輸入共享電壓,并緩沖輸出該交流輸入共享電壓,其中該交流輸入共享電壓的高電平小于該可調電壓;
一交流共享電壓產生單元,耦接該信號緩沖單元,并且操作在該可調電壓與該接地電平下,用以反應于該信號緩沖單元的輸出而產生并輸出一交流輸出共享電壓,其中該交流輸出共享電壓的高電平等于該可調電壓;以及
一振幅調整單元,耦接該信號緩沖單元與該交流共享電壓產生單元,并且操作在高于該可調電壓的一系統高壓與該接地電平下,用以反應于一阻值調整操作而對該系統高壓進行一分壓處理,以提供該可調電壓給該信號緩沖單元與該交流共享電壓產生單元。
2.如權利要求1所述的共享電壓產生電路,更包括:
一偏壓調整單元,耦接該共享電壓產生單元,并且操作在該系統高壓與該接地電平下,用以反應于該阻值調整操作而對該交流輸出共享電壓的一直流偏壓進行調整。
3.如權利要求2所述的共享電壓產生電路,其中該信號緩沖單元包括:
一NPN型雙載子結晶體管,其基極用以接收該交流輸入共享電壓,其集極用以接收該可調電壓,而其射極則作為該信號緩沖單元的輸出;以及
一PNP型雙載子結晶體管,其基極用以接收該交流輸入共享電壓,其射極耦接該NPN型雙載子結晶體管的射極,而其集極則耦接至該接地電平。
4.如權利要求3所述的共享電壓產生電路,其中該交流共享電壓產生單元包括:
一PMOS晶體管,其源極用以接收該可調電壓,其柵極耦接該信號緩沖單元的輸出,而其漏極則用以輸出該交流輸出共享電壓;以及
一NMOS晶體管,其柵極耦接該PMOS晶體管的柵極,其漏極耦接該PMOS晶體管的漏極,而其源極則耦接至該接地電平。
5.如權利要求4所述的共享電壓產生電路,其中該振幅調整單元包括:
一第一電阻,其第一端用以接收該系統高壓,而其第二端則用以提供該可調電壓;
一第一預備電阻,耦接于該第一電阻的第二端與該接地電平之間;以及
一第一可變電阻,其第一端與調整端耦接該第一電阻的第二端,而其第二端則耦接至該接地電平。
6.如權利要求5所述的共享電壓產生電路,其中該偏壓調整單元包括:
一第二可變電阻,其第一端與調整端用以接收該系統高壓;
一第二電阻,耦接于該第二可變電阻的第二端與該接地電平之間;以及
一第三電阻,其第一端耦接該第二可變電阻的第二端,而其第二端則耦接該PMOS晶體管與該NMOS晶體管的漏極。
7.如權利要求6所述的共享電壓產生電路,更包括:
一第一電容,耦接于該PMOS晶體管與該NMOS晶體管的漏極與該第三電阻的第二端之間。
8.如權利要求7所述的共享電壓產生電路,更包括:
一第二電容,耦接于該PMOS晶體管的源極與該接地電平之間。
9.如權利要求2所述的共享電壓產生電路,其中該交流輸出共享電壓至少適于提供至一液晶顯示面板。
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