[發明專利]顯示裝置、陣列基板及其制備方法有效
| 申請號： | 201210540758.5 | 申請日： | 2012-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN102983134A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 于海峰;封賓;林鴻濤 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 陣列 及其 制備 方法 | ||
1.一種陣列基板，包括像素區域和周邊布線區域，其特征在于，
所述周邊布線區域設有ESD組件和短路條，所述ESD組件包括多個TFT，所述TFT的源電極和漏電極設置在所述短路條上。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述ESD組件包括兩個TFT，所述第一TFT和所述第二TFT的漏電極相對設置。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素區域的柵線延伸至所述周邊布線區域，所述柵線的延伸部分與所述短路條交叉設置。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個TFT的柵極與所述像素區域的柵線同層設置，所述第一TFT的柵極與所述柵線一體成型。
5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的柵極與所述第一TFT的源電極電連接，所述第二TFT的柵極與所述第二TFT的源極電連接。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種如權利要求1-5任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板包括像素區域和周邊布線區域，所述周邊布線區域包括ESD組件，所述ESD組件包括多個TFT，所述制備方法包括以下步驟：
步驟S1：在周邊布線區域形成所述TFT的柵極；
步驟S2：在周邊布線區域形成短路條和ESD組件中TFT的源電極和漏電極，所述TFT的源電極與漏電極形成在所述短路條上；
步驟S3：在周邊布線區域形成過孔，所述TFT的柵極與所述源極通過過孔連接，所述像素區域的柵線延伸至所述周邊布線區域，且與所述TFT的源極通過過孔連接。
8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板還包括像素區域，所述TFT的柵極與所述像素區域的柵線采用一次構圖工藝形成。
9.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板還包括像素區域，所述短路條、所述TFT的源電極和漏電極與所述像素區域的數據線采用一次構圖工藝形成。
10.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板還包括像素區域，所述周邊布線區域的過孔與所述像素區域的過孔采用一次構圖工藝形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
