[發明專利]陣列基板的焊墊及其制作方法及陣列基板和液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201210540039.3
• 申請日: 2012-12-13
• 公開（公告）號: CN103869508A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 李卿碩
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/1362;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張穎玲;程立民

1.一種陣列基板的焊墊，其特征在于，該焊墊包括：柵極-氮化硅層（G-SiNx）、第一銦錫氧化物（ITO）層、源/漏電極（S/D）層、保護層（PVX）、第二ITO層；其中，第一ITO層覆蓋在G-SiNx層上，S/D層覆蓋在第一ITO層上，PVX層覆蓋在S/D層上，第二ITO層覆蓋在PVX層上；所述S/D層有焊墊過孔，所述第二ITO層通過所述焊墊過孔連接第一ITO層并不與S/D層接觸。

2.根據權利要求1所述的焊墊，其特征在于，所述焊墊過孔將S/D層的長邊隔斷。

3.根據權利要求1所述的焊墊，其特征在于，所述焊墊過孔位于S/D層長邊的上方一側或下方一側。

4.根據權利要求1所述的焊墊，其特征在于，所述焊墊過孔位于S/D層中刻蝕的窗口中。

5.根據權利要求1所述的焊墊，其特征在于，所述焊墊過孔位于S/D層長邊的上下兩側。

6.根據權利要求1所述的焊墊，其特征在于，所述焊墊包括：陣列基板上集成電路的焊墊和玻璃基板對盒的邊緣位置的焊墊。

7.一種陣列基板的焊墊的制作方法，其特征在于，該方法包括：在G-SiNx層上覆蓋第一ITO層，在第一ITO層上覆蓋S/D層，所述S/D層在焊墊過孔位置露出第一ITO層，在S/D層上覆蓋PVX層，并在焊墊過孔位置進行PVX打孔，在PVX層上覆蓋第二ITO層，在焊墊過孔位置形成焊墊過孔，所述第二ITO層通過焊墊過孔連接第一ITO層并不與S/D層接觸。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在第一ITO層上覆蓋S/D層，所述S/D層在焊墊過孔位置露出第一ITO層，為：在第一ITO層上通過沉積、掩膜、半孔灰化和濕刻工藝覆蓋一層S/D層，所述S/D層在焊墊過孔范圍內的金屬被刻蝕，暴露出第一ITO層。

9.一種陣列基板，其特征在于，該陣列基板包括權利要求1至6任一項所述的焊墊。

10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置包括對合的上基板、下基板，以及上下基板間填充的液晶，所述下基板為權利要求9所述的陣列基板。