[發(fā)明專利]太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210539390.0 | 申請日: | 2012-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN103871919A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王利順;陳利平;裴世鈾;李波 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 昆山四方專利事務(wù)所 32212 | 代理人: | 盛建德 |
| 地址: | 215311 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能 硅片 電池 缺陷 檢測 系統(tǒng) | ||
1.一種太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:包括機架、樣品放置平臺、處理器(12)、少子壽命檢測模塊(1)、圖像采集系統(tǒng)(4)和激光照明系統(tǒng)(5),所述少子壽命檢測模塊(1)、圖像采集系統(tǒng)(4)和激光照明系統(tǒng)(5)分別固設(shè)于機架上,樣品放置平臺包括固定于機架上的導(dǎo)軌(3)和能夠沿導(dǎo)軌(3)滑動的光致熒光檢測平臺(2)及電致熒光檢測平臺(7),所述光致熒光檢測平臺(2)上設(shè)有少子壽命探測器(10),該少子壽命探測器(10)傳信于處理器(12),所述電致熒光檢測平臺(7)上設(shè)有能夠給樣品(11)施加直流電源的加電裝置(16),且該加電裝置(16)、樣品(11)和電致熒光檢測平臺(7)能夠形成一個導(dǎo)電回路,少子壽命檢測模塊(1)能夠朝位于設(shè)定位置的光致熒光檢測平臺(2)上的樣品(11)發(fā)射閃光,激光照明系統(tǒng)(5)能夠朝光致熒光檢測平臺(2)和電致熒光檢測平臺(7)之一上的樣品(11)發(fā)射激光,圖像采集系統(tǒng)(4)能夠采集處于設(shè)定位置的樣品(11)發(fā)出的熒光圖像并傳信給處理器(12)進行分析和處理。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述光致熒光檢測平臺(2)和電致熒光檢測平臺(7)采用聯(lián)動定位的機械結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述導(dǎo)軌(3)上設(shè)有可調(diào)節(jié)限位環(huán)(9),該可調(diào)節(jié)限位環(huán)(9)與光致熒光檢測平臺(2)和電致熒光檢測平臺(7)能夠拆卸固定連接,并將光致熒光檢測平臺(2)和電致熒光檢測平臺(7)之一固定于設(shè)定位置。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述電致熒光檢測平臺(7)與真空發(fā)生器連接,真空發(fā)生器能夠使電致熒光檢測平臺(7)與樣品(11)之間產(chǎn)生真空。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述電致熒光檢測平臺(7)上的加電裝置(16)為三條探針條,該三條探針能夠與樣品(11)緊密接觸。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:還設(shè)有探針架(6),三條探針能夠拆卸固定于探針架(6)上,探針架(6)與電致熒光檢測平臺(7)鉸接連接,還設(shè)有一鎖緊機構(gòu)(8),該鎖緊機構(gòu)(8)能夠?qū)⑸w板與電致熒光檢測平臺(7)鎖緊固定。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:還設(shè)有氣壓彈簧,氣壓彈簧的兩端分別與電致熒光檢測平臺(7)和探針架(6)側(cè)壁固定連接。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述激光照明系統(tǒng)(5)包括控制激光器(14)和激光照明鏡頭,所述控制激光器(14)能夠接收處理器(12)命令發(fā)射激光給激光照明鏡頭,激光照明鏡頭內(nèi)依次設(shè)有光束整形光管、聚焦鏡頭和光斑調(diào)整裝置。
9.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述圖像采集系統(tǒng)(4)為CCD相機。
10.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片及電池片缺陷檢測系統(tǒng),其特征是:所述加電裝置(16)施加的直流電源為二象限可編程直流電源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





