[發(fā)明專利]雙摻雜In₄Se₃基熱電材料及其制備和用途有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201210539358.2	申請(qǐng)日：	2012-12-14
公開(kāi)（公告）號(hào)：	CN103022336A	公開(kāi)（公告）日：	2013-04-03
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	吳立明;林志盛;陳玲	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
主分類號(hào)：	H01L35/18	分類號(hào)：	H01L35/18;C22C12/00;H01L35/34
代理公司：	暫無(wú)信息	代理人：	暫無(wú)信息
地址：	350002 ***	國(guó)省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	摻雜 in sub se 熱電材料及其制備用途
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【權(quán)利要求書(shū)】：

1.雙摻雜In₄Se₃基熱電材料In_4-xPb_0.01Sn_xSe₃?(x?=?0.02-0.05)，當(dāng)x=0.04，材料的熱電優(yōu)值達(dá)到1.4。

2.權(quán)利要求1所述的熱電材料的制備方法，包括如下步驟：

（1）將In,?Pb,?Sn和?Se四種原料按化學(xué)計(jì)量比混合，采用高溫固相法，在600-900?°C燒結(jié)，淬火，研磨，壓片，然后在400-500°C退火，制得Pb、?Sn共摻雜In₄Se₃的粉體。

（2）將步驟（1）制得的粉體在50-70?MPa下進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，在400-450度保溫，獲得目標(biāo)材料。

3.權(quán)利要求1所述的熱電材料應(yīng)用于高效熱-電轉(zhuǎn)換器件的制作。

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