[發(fā)明專利]一種上稱重提拉法籽晶桿夾持及對(duì)中裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210538756.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN103014841A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾憲林;吳少凡;鄭熠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建福晶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/32
• 分類號(hào): C30B15/32;C30B15/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及提拉法單晶爐機(jī)械結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，尤其涉及一種上稱重提拉法籽晶桿夾持及對(duì)中裝置。

技術(shù)背景

提拉法具有易觀察、可控性高、生長(zhǎng)周期短等特點(diǎn)，是人工晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域最重要的方法之一。對(duì)高質(zhì)量高均勻性人工晶體的需求以及人工成本的不斷提高，極大地推動(dòng)了提拉法晶體生長(zhǎng)自動(dòng)化的發(fā)展。在目前現(xiàn)有的幾種自動(dòng)提拉方法中，上稱重提拉法由于其自動(dòng)化程度高，精密性高，生長(zhǎng)晶體質(zhì)量好而著稱。

由于上稱重法電子秤的高精密性，輕微的干擾都容易造成重量數(shù)據(jù)的波動(dòng)，造成晶體生長(zhǎng)的不穩(wěn)定。固定在電子秤下面的籽晶桿組件需要懸空不受力，籽晶桿夾持和對(duì)中有一點(diǎn)微小的偏差，到晶體籽晶位置就放大成劃弧和抖動(dòng)。目前普通籽晶桿夾持及對(duì)中方式（參考專利號(hào)ZL：01266981.4《籽晶桿居中調(diào)節(jié)器》），采用三個(gè)螺絲將籽晶桿固定在對(duì)中法蘭上，由于僅靠三個(gè)點(diǎn)的固定，精度較差，籽晶桿容易劃弧抖動(dòng)。另外，當(dāng)籽晶桿轉(zhuǎn)動(dòng)速度較快、生長(zhǎng)的晶體較重或晶體生長(zhǎng)周期較長(zhǎng)時(shí)，固定螺絲容易松動(dòng)導(dǎo)致籽晶桿脫落掉入熔體中。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決傳統(tǒng)技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明公開了一種上稱重提拉法籽晶桿夾持及對(duì)中裝置，可以有效解決籽晶桿使用過程中的抖動(dòng)劃弧及松動(dòng)問題，拆裝調(diào)節(jié)對(duì)中都很方便，本發(fā)明是通過以下技術(shù)實(shí)現(xiàn)的：

一種上稱重提拉法籽晶桿夾持及對(duì)中裝置，包含上法蘭1，下法蘭2，ER螺母,3，彈簧4，螺栓5，ER夾頭6，上法蘭1的盤面有三等分螺絲孔，下法蘭2盤面有與上法蘭1盤面上三等分螺絲孔相對(duì)應(yīng)的三等分圓孔，將套有彈簧4的螺栓5穿過螺絲孔與圓孔將上法蘭1與下法蘭2連接在一起，通過微調(diào)螺栓5來調(diào)節(jié)上法蘭1與下法蘭2的相對(duì)位置，從而調(diào)整籽晶桿的中心度，上法蘭1與下法蘭2中心開有錐形孔，錐形孔的錐角與ER夾頭6簧瓣的錐角相同，籽晶桿7穿過ER夾頭6，旋緊ER螺母3，法蘭中心孔的內(nèi)錐面迫使ER夾頭5的簧瓣向中心收縮，將籽晶桿7固定在法蘭盤上。

工作原理：籽晶桿和轉(zhuǎn)動(dòng)電機(jī)小軸套在ER夾頭中心內(nèi)，然后將ER夾頭簧瓣一端放入法蘭的中心孔中，中心孔有一定的錐角，角度與ER夾頭簧瓣的錐角相同，通過旋緊ER螺母，法蘭中心孔的內(nèi)錐面迫使ER夾頭的簧瓣向中心收縮，達(dá)到夾持籽晶桿和電機(jī)小軸的作用。兩個(gè)法蘭通過三個(gè)螺栓連接，螺栓外面套有彈簧，通過微調(diào)螺栓來精確調(diào)整籽晶桿的中心度。

附圖說明

圖1?為本發(fā)明一種上稱重提拉法籽晶桿夾持及對(duì)中裝置的結(jié)構(gòu)示意圖

其中1為上法蘭，2為下法蘭，3為ER螺母，4為彈簧，5為螺栓，6為ER夾頭，7為籽晶桿。

?具體實(shí)施方式

結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理進(jìn)行詳細(xì)敘述。

實(shí)施例一：我們將此籽晶桿夾持及對(duì)中裝置應(yīng)用于上稱重法生長(zhǎng)釔鋁石榴石（YAG）晶體，夾持和對(duì)中籽晶桿，進(jìn)行晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)。晶體生長(zhǎng)歷時(shí)21天，得到晶體尺寸為Φ45*120?晶體等徑部分直徑偏差<0.5mm，晶體重1056g，晶體表面光滑無生長(zhǎng)條紋，內(nèi)部無散射、無位錯(cuò)。而采用普通的籽晶桿固定及對(duì)中裝置生長(zhǎng)時(shí)，晶體等徑部分直徑偏差>1mm，晶體表面有密集的生長(zhǎng)條紋，晶體內(nèi)部有散射。

實(shí)施例二：我們將此籽晶桿夾持及對(duì)中裝置應(yīng)用于上稱重法生長(zhǎng)鋱鎵石榴石（TGG）晶體實(shí)驗(yàn)。晶體生長(zhǎng)歷時(shí)4天，得到晶體尺寸為Φ30*40?晶體等徑部分直徑偏差<0.5mm，晶體重230g，晶體內(nèi)部無散射、無包絡(luò)和氣泡。而采用普通的籽晶桿固定及對(duì)中裝置生長(zhǎng)時(shí)，由于籽晶桿劃弧及抖動(dòng)，晶體偏心生長(zhǎng)，長(zhǎng)大角，生長(zhǎng)無法繼續(xù)。