[發(fā)明專利]基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210538548.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102977342A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞市后博科技服務(wù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C08G61/12 | 分類號(hào): | C08G61/12;C07D209/86 |
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| 地址: | 523782 廣東省東莞市大*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 聚咔唑 共軛 電解質(zhì) 光電 材料 及其 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域,尤其涉及一種基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料,及其在OLED器件的空穴注入層中的應(yīng)用。?
背景技術(shù)
如圖1所示,OLED器件主要由陰極1、發(fā)光層2、空穴注入層(HIL)3、陽(yáng)極4、襯底5順次層疊構(gòu)成,電源6連接陰極1與陽(yáng)極4。所述發(fā)光層2為有機(jī)材料。制備OLED器件時(shí),通常是在襯底5上先設(shè)置氧化銦錫(ITO)作為陽(yáng)極4,然后在ITO陽(yáng)極4上設(shè)置空穴注入層(HIL)3,接著在空穴注入層3上設(shè)置發(fā)光層2,最后在發(fā)光層2上再蒸鍍金屬陰極1,例如依次真空蒸鍍一層CsF和一層金屬Al共同作為陰極1。設(shè)置發(fā)光層2的方法通常利用旋涂法,具體做法是將有機(jī)發(fā)光材料溶解在甲苯等溶劑中制得有機(jī)發(fā)光材料溶液,然后將有機(jī)發(fā)光材料溶液旋轉(zhuǎn)涂覆在空穴注入層3上,為了避免有機(jī)發(fā)光材料溶液中的甲苯等溶劑將空穴注入層3溶解或侵蝕,從而影響OLED器件的工作效果,所以只能選用不溶或難溶于甲苯等溶劑的有機(jī)材料作為空穴注入層3的材料。?
目前,可選擇的空穴注入層有機(jī)材料很少,常用的空穴注入層材料主要有兩種,一種是聚(3,4-乙撐二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸鹽的混合物水溶液(PEDOT:PSS),另一種是聚乙烯基咔唑(PVK)。其中又以PEDOT:PSS最為常用,但是PEDOT:PSS其實(shí)是一種酸性溶液,對(duì)ITO陽(yáng)極有一定的腐蝕作用,所以采用PEDOT:PSS作為空穴注入層會(huì)降低OLED器件的壽命和穩(wěn)定性。而由于PVK是一種主鏈非共軛的聚合物,其電導(dǎo)率并不高,所以PVK的空穴注入/傳輸性能并不太好,這也是影響OLED器件性能的不利因素之一。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種能夠作為OLED器件的空穴注入層材料的共軛聚電解質(zhì)光電材料。?
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:一種基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料,其結(jié)構(gòu)式為:?
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其中,0<x<1,0<y<1,x+y=1;n為所述共軛聚電解質(zhì)光電材料的聚合度,n為1~10000的自然數(shù);R1、R2、R3、R4為C1~C4的烷基,R5為C1~C20的烷基。
優(yōu)選地,所述R1、R2、R3、R4為乙基。?
優(yōu)選地,所述R5為-CH(CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH3)2。?
所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料在OLED器件的空穴注入層中的應(yīng)用。?
本發(fā)明所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料具有帶季銨基的兩性側(cè)鏈,使得這種材料能夠溶于極性溶劑如甲醇、乙醇中,且又難溶于甲苯等溶劑,故所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料能夠作為OLED器件的空穴注入層材料。?
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:?
(1)本發(fā)明所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料能夠作為OLED器件的空穴注入層材料,為OLED器件的空穴注入層材料的選用提供了更多選擇。
(2)本發(fā)明所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料對(duì)ITO陽(yáng)極沒有酸腐蝕作用,有利于OLED器件的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。?
(3)本發(fā)明所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料的聚合物主鏈?zhǔn)枪曹椀模酆衔镏麈溣删哂辛己每昭ㄗ⑷?傳輸性能的咔唑基團(tuán)組成,具有較高的電導(dǎo)率,有利于OLED器件中空穴的注入與傳輸。?
?(4)本發(fā)明所述基于聚咔唑的共軛聚電解質(zhì)光電材料不含反離子,可避免常見聚電解質(zhì)中可自由移動(dòng)的反離子對(duì)OLED器件的不利影響。?
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附圖說明
圖1是OLED器件結(jié)構(gòu)示意圖;?
????圖2是以實(shí)施例14制備的PCCN-SO作為空穴注入層(HIL)材料,按器件結(jié)構(gòu)為ITO/HIL/P-PPV/CsF/Al制作的OLED器件及其對(duì)照器件的電流效率-電流密度曲線圖;
1、陰極,2、發(fā)光層,3、空穴注入層,4、ITO陽(yáng)極,5、襯底,6、電源。
??
具體實(shí)施方式
合成路線1如下:?
實(shí)施例1:
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