[發明專利]原位生長的柵介質和場板介質

無效

• 申請號: 201210537477.4
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103165445A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: J·P·愛德華茲;L·劉
• 申請（專利權）人: 電力集成公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/28;H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 吳曉萍;鐘守期

1.一種制造場效應晶體管（FET）的方法，該方法包括：

在原位原子層沉積（ALD）方法中，在上表面具有第一半導體膜的晶片上沉積第一介質膜和第二介質膜，其中第一介質膜沉積在第一半導體膜上，且其中第二介質膜沉積在第一介質膜上；

在第二介質膜中蝕刻第一圖案以界定柵極的位置；

在第一圖案上沉積導體；以及

蝕刻一部分導體以界定與第一圖案部分重疊的第二圖案，其中第二圖案界定柵極。

2.權利要求1的方法，還包括：

形成源極和漏極，其中源極和漏極電接觸第一半導體膜，且其中源極和漏極在柵極的相對兩側。

3.權利要求2的方法，其中晶片在第一半導體膜下具有第二半導體膜。

4.權利要求3的方法，其中第一半導體膜是AlGaN且第二半導體膜是GaN。

5.權利要求4的方法，其中蝕刻第一圖案在部分第一圖案底部暴露第一介質膜。

6.權利要求4的方法，其中第一和第二介質膜具有彼此不同的蝕刻性能。

7.權利要求4的方法，其中在第一和第二介質膜之間，原位沉積第三層膜，且其中第三層膜具有與第二介質膜不同的蝕刻性能。

8.權利要求7的方法，其中第三層膜是用于在第二介質膜中蝕刻第一圖案的蝕刻停止層。

9.權利要求7的方法，其中蝕刻第一圖案沿著第一圖案的底部部分暴露第三層膜。

10.權利要求9的方法，其中在將導體沉積在第一圖案上之前，第一介質膜的上表面暴露在第一圖案的底部部分。

11.權利要求7的方法，其中第一介質膜由Al₂O₃制得，第三層膜由HfO₂制得，且第二層膜由Al₂O₃制得。

12.權利要求7的方法，其中第一介質膜由Al₂O₃制得，第三層膜由AlN制得，且第二層膜由SiN制得。

13.權利要求4的方法，其中晶片包括藍寶石、硅或碳化硅的處理晶片。

14.權利要求4的方法，其中第二圖案包括第二層膜頂部的柵場板。

15.一種場效應晶體管（FET），包括：

在基底上表面的第一半導體膜；

在第一半導體膜頂部的第一介質膜和第二介質膜的復合膜，其中復合膜在第一介質膜層的頂部具有第二介質膜層，且其中復合膜是原子層沉積（ALD）原位沉積的膜；

界定于復合膜內的柵極，其中柵極通過第一介質膜而與第一半導體膜絕緣；

在柵極一側與第一半導體膜電接觸的源極；以及

在與源極相對的柵極另一側與第一半導體膜電接觸的漏極。

16.權利要求15的FET，還包括：

在第一半導體膜和基底之間的第二半導體膜。

17.權利要求16的FET，其中第一半導體膜是AlGaN且第二半導體膜是GaN。

18.權利要求17的FET，其中第一介質膜和第二介質膜具有彼此不同的蝕刻性能。

19.權利要求18的FET，其中第一介質膜由Al₂O₃制得且第二介質膜由氮化硅制得。

20.權利要求17的FET，其中柵極接觸第一介質膜的上表面。

21.權利要求17的FET，其中柵極接觸第三層膜的上表面。

22.權利要求16的FET，其中復合膜包括在第一介質膜層和第二介質膜層之間的第三層膜，且其中第三層膜和第二介質膜具有彼此不同的蝕刻性能。

23.權利要求22的FET，其中第一介質膜和第二介質膜由相同材料制得。

24.權利要求22的FET，其中第一介質膜和第二介質膜由Al₂O₃制得且第三層膜由HfO₂制得。