[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、有機發(fā)光二極管顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210537447.3 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103022048A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮(zhèn);金熙哲 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 有機 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括多個位于基板上的像素單元,其特征在于,所述像素單元包括:
薄膜晶體管驅(qū)動層;
比所述薄膜晶體管驅(qū)動層更遠離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動層驅(qū)動的有機發(fā)光二極管,在遠離基板的方向上有機發(fā)光二極管依次包括第一電極、發(fā)光層、第二電極;其中,第一電極為反射層或第一電極透明且其下側(cè)設(shè)有反射層,而第二電極為半反半透層或第二電極透明且其上側(cè)設(shè)有半反半透層;所述反射層的反射面上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu),且所述反射層與半反半透層構(gòu)成微腔結(jié)構(gòu);
比所述有機發(fā)光二極管更遠離基板的彩膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述發(fā)光層為用于發(fā)出白光的發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述用于發(fā)出白光的發(fā)光層包括:
交疊的發(fā)紅光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)藍光的有機電致發(fā)光材料層;
或
由發(fā)紅光的有機電致發(fā)光材料、發(fā)綠光的有機電致發(fā)光材料、發(fā)藍光的有機電致發(fā)光材料混合成的有機電致發(fā)光材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
設(shè)于所述反射層與薄膜晶體管驅(qū)動層間的樹脂層,所述樹脂層與反射層相接觸的面上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,
所述樹脂層中設(shè)有過孔,所述第一電極通過所述過孔與薄膜晶體管驅(qū)動層電連接,所述過孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,
所述樹脂層的厚度在之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述薄膜晶體管驅(qū)動層包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、多組薄膜晶體管,每組薄膜晶體管用于驅(qū)動一個像素單元中的有機發(fā)光二極管;
其中,每組薄膜晶體管包括一個開關(guān)薄膜晶體管和一個驅(qū)動薄膜晶體管,所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線,源極連接數(shù)據(jù)線,漏極連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極;驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接電源電壓線,漏極連接有機發(fā)光二極管的第一電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述反射層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成,且反射率在80~100%之間,厚度在之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述半反半透層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成,且透過率在5~95%之間,厚度在之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述彩膜厚度在之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,所述彩膜包括:
紅色彩膜、綠色彩膜、藍色彩膜;
或
紅色彩膜、綠色彩膜、藍色彩膜、白色彩膜;
或
紅色彩膜、綠色彩膜、藍色彩膜、黃色彩膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一電極為有機發(fā)光二極管的陰極,所述第二電極為有機發(fā)光二極管的陽極;
或
所述第一電極為有機發(fā)光二極管的陽極,所述第二電極為有機發(fā)光二極管的陰極。
13.一種陣列基板制備方法,其特征在于,包括:
在基板上形成包括薄膜晶體管驅(qū)動層的圖形;
在完成前述步驟的基板上形成樹脂層的圖形,并在所述樹脂層上形成凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu);
在完成前述步驟的基板上形成包括有機發(fā)光二極管的圖形;其中,所述有機發(fā)光二極管的靠近基板的電極為反射層,或所述有機發(fā)光二極管的靠近基板的電極透明且其下側(cè)還要形成反射層;所述有機發(fā)光二極管的遠離基板的電極為半反半透層,或所述有機發(fā)光二極管的遠離基板的電極透明且其上側(cè)還要形成半反半透層;所述反射層的反射面上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu);
在完成前述步驟的基板上形成包括彩膜的圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





