[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、有機發(fā)光二極管顯示裝置

有效

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• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103022080A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮(zhèn);金熙哲
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于有機發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、有機發(fā)光二極管顯示裝置。

背景技術(shù)

有機發(fā)光二極管（Organic?Light-Emitting?Diodes，OLED）以其制備工藝簡單、成本低、發(fā)光顏色可在可見光區(qū)內(nèi)任意調(diào)節(jié)以及易于大面積和柔性彎曲等優(yōu)點，被認(rèn)為是未來最重要的顯示技術(shù)之一。尤其是白光OLED（WOLED）的功率效率已經(jīng)超過了60lm/W，壽命達到了2萬個小時以上，極大地推動了WOLED的發(fā)展。

如圖1所示，為現(xiàn)有的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)，具體示出了一個像素單元的示意圖，由下至上包括：形成在基板1上的第一柵極2、第二柵極2′及柵線（圖中未示出），形成在第一柵極2、第二柵極2′及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4′，形成在第一有源層4和第二有源層4′之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6（包括第一源極和第一漏極）和第二源漏層6′（包括第二源極和第二漏極），形成在第一源漏層6和第二源漏層6′之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管（開關(guān)TFT），第二柵極2′、柵絕緣層3、第二有源層4′、絕緣間隔層5及第二源漏層6′形成驅(qū)動薄膜晶體管（驅(qū)動TFT）。第一源漏層6和第二源漏層6′之上依次為鈍化層7、彩膜9，樹脂層10，有機發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機發(fā)光層13及有機發(fā)光二極管的第一電極14。其中，第一電極11為透明電極，有機發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域（通常指像素單元的除薄膜晶體管以外的顯示區(qū)域）。

該結(jié)構(gòu)中，第二柵極2′與第二源漏極6′的漏極之間形成存儲電容，如圖1中虛線框所示。該像素單元的等效電路圖如圖2所示，Cs為所述存儲電容。由于WOLED需要較大的驅(qū)動電流，從而WOLED的顯示裝置的功耗很大，為了降低功耗，在基板上形成了該存儲電容的結(jié)構(gòu)，該存儲電容的作用是在為WOLED提供一部分驅(qū)動電流，使得由電源提供的驅(qū)動電流可相應(yīng)減小，從而減小功耗。但是從圖1中可看出，第二柵極2′與第二源漏極6′的漏極間隔了兩層絕緣層，距離較大，電容較小，若能減小距離，增大電容，便能夠進一步地降低WOLED的顯示裝置的功耗。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：如何進一步減小WOLED顯示裝置的驅(qū)動功耗。

（二）技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括：形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接所述有機發(fā)光二極管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與漏極重疊，之間形成存儲電容，所述柵極和漏極之間間隔的絕緣層上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有凹槽，使所述柵極和漏極之間的距離小于所述絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度。

其中，所述像素單元還包括：彩膜，所述彩膜形成在所述有機發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間。

其中，所述漏極位于所述柵極的上方，兩者之間間隔的絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域的位置形成有凹槽，所述漏極的一部分形成在所述凹槽中。

其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括：形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動薄膜晶體管；

所述有機發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極，所述第二漏極與所述第二柵極重疊，之間形成存儲電容，所述第二漏極與所述第二柵極之間間隔的絕緣層為所述柵絕緣層。

其中，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括：絕緣間隔層和柵絕緣層，所述凹槽形成在靠近所述第二漏極的絕緣間隔層的表面，且所述凹槽的深度小于所述絕緣間隔層的厚度。

其中，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括：絕緣間隔層和柵絕緣層，所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有通孔，所述通孔與所述柵絕緣層的表面形成所述凹槽。