[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210536737.6
• 申請(qǐng)日: 2012-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103000639A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮(zhèn);金熙哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

1.一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，其特征在于，所述像素單元包括：

薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層；

比所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機(jī)發(fā)光二極管依次包括第一電極、發(fā)光層、透明的第二電極；其中，第一電極為反射層，或第一電極透明且其下方有反射層；

比所述有機(jī)發(fā)光二極管更遠(yuǎn)離基板的半反半透層，其與所述反射層構(gòu)成微腔結(jié)構(gòu)；

位于所述有機(jī)發(fā)光二極管與半反半透層間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述發(fā)光層為用于發(fā)出白光的發(fā)光層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述用于發(fā)出白光的發(fā)光層包括：

交疊的發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料層；

或

由發(fā)紅光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光材料、發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光材料混合成的有機(jī)電致發(fā)光材料層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述反射層的反射面上具有用于使光產(chǎn)生漫反射的凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

設(shè)于所述反射層與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層間的樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層與反射層相接觸的面上具有凹凸結(jié)構(gòu)或波浪結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述樹(shù)脂層中設(shè)有過(guò)孔，所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔與薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層電連接，所述過(guò)孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述樹(shù)脂層的厚度在1000~之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)層包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)像素單元中的有機(jī)發(fā)光二極管；

其中，每組薄膜晶體管包括一個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接電源電壓線，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述反射層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且反射率在80~100%之間，厚度在100~之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述半反半透層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率在5~95%之間，厚度在10~之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述彩膜中設(shè)有過(guò)孔，所述第二電極與半反半透層通過(guò)所述過(guò)孔電連接，所述半反半透層由導(dǎo)電材料構(gòu)成，且所述過(guò)孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述彩膜厚度在5000~之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括：

紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜；

或

紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜；

或

紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，

所述透明的第二電極由氧化銦錫、氧化銦鋅、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、碳納米管中的任意一種構(gòu)成。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，所述第二電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極；

或

所述第一電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極，所述第二電極為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。