[發明專利]陣列基板及其制備方法、有機發光二極管顯示裝置有效
| 申請號: | 201210536682.9 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103022079A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮;金熙哲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 有機 發光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括多個位于基板上的像素單元,其特征在于,所述像素單元包括:
薄膜晶體管驅動層;
比所述薄膜晶體管驅動層更遠離基板并受薄膜晶體管驅動層驅動的有機發光二極管,在遠離基板的方向上有機發光二極管依次包括透明的第一電極、發光層、第二電極,其中,所述第二電極為半反半透層,或所述第二電極透明且其上設有半反半透層;
反射層,其位于所述薄膜晶體管驅動層與有機發光二極管間,并與所述半反半透層形成微腔結構,且所述反射層的反射面上具有用于使光產生漫反射的凹凸結構或波浪結構;
位于所述反射層與有機發光二極管間、且處于微腔結構中的彩膜。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述發光層為用于發出白光的發光層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述用于發出白光的發光層包括:
交疊的發紅光的有機電致發光材料層、發綠光的有機電致發光材料層、發藍光的有機電致發光材料層;
或
由發紅光的有機電致發光材料、發綠光的有機電致發光材料、發藍光的有機電致發光材料混合成的有機電致發光材料層。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述薄膜晶體管驅動層包括掃描線、數據線、電源電壓線、多組薄膜晶體管,每組薄膜晶體管用于驅動一個像素單元中的有機發光二極管;
其中,每組薄膜晶體管包括一個開關薄膜晶體管和一個驅動薄膜晶體管,所述開關薄膜晶體管的柵極連接掃描線,源極連接數據線,漏極連接驅動薄膜晶體管的柵極;驅動薄膜晶體管的源極連接電源電壓線,漏極連接有機發光二極管的第一電極。
5.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
設于所述反射層與薄膜晶體管驅動層間的樹脂層,所述樹脂層與反射層相接觸的面上具有凹凸結構或波浪結構。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,
所述彩膜和樹脂層中設有過孔,所述第一電極通過所述過孔與薄膜晶體管驅動層電連接,且所述過孔處設有位于第一電極與發光層之間的絕緣的像素限定層。
7.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,
所述樹脂層的厚度在之間。
8.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述反射層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構成,且反射率在80~100%之間,厚度在之間。
9.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述半反半透層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構成,且透過率在5~95%之間,厚度在之間。
10.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述彩膜厚度在之間。
11.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,所述彩膜包括:
紅色彩膜、綠色彩膜、藍色彩膜;
或
紅色彩膜、綠色彩膜、藍色彩膜、白色彩膜;
或
紅色彩膜、綠色彩膜、藍色彩膜、黃色彩膜。
12.根據權利要求1至3中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一電極為有機發光二極管的陰極,所述第二電極為有機發光二極管的陽極;
或
所述第一電極為有機發光二極管的陽極,所述第二電極為有機發光二極管的陰極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210536682.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種快速的GSM-R干擾識別方法
- 下一篇:用于處理化學制品的容器的設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





