[發明專利]制造濾光板用的掩模板、濾光板的形成方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201210536593.4 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103869605B | 公開(公告)日: | 2017-08-08 |
| 發明(設計)人: | 張莉;陳穎明;王菁晶;唐文靜 | 申請(專利權)人: | 上海儀電顯示材料有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/54 | 分類號: | G03F1/54;G03F7/20;G02F1/1335;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201108 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 濾光 模板 形成 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示器領域,尤其涉及一種掩模板、濾光板的形成方法、顯示裝置。
背景技術
近年來,隨著信息通訊領域的迅速發展,對各種類型的顯示設備的需求越來越大。目前主流的顯示裝置主要有:液晶顯示器(LCD),等離子體顯示器(PDP),電致發光顯示器(ELD)和真空熒光顯示器(VFD)等。由于液晶顯示裝置具有:輕、薄、體積小、耗電小、輻射低等優點,被廣泛應用于各種數據處理設備中,例如電視、筆記本電腦、移動電話、個人數字助理等。液晶顯示器主要包括:TFT陣列基板、彩色濾光板、TFT陣列基板和彩色濾光板之間的液晶層。
圖1為現有技術的液晶顯示器中彩色濾光板的剖面結構示意圖,參考圖1,目前用于液晶顯示器中彩色濾光板10主要包括:透明玻璃基板11、遮光圖案層(BM層)12、彩色像素層(RBG層)13、公共電極層(ITO層)14、間隔柱(Photo Spacer,PS)15。
隨著液晶顯示器生產行業的發展,大尺寸基板投入應用,目前最大尺寸為10代線。隨著基板的尺寸逐步增大,在彩色濾光板生產領域普遍使用的近接式曝光機所需要的曝光掩模板(Mask)、曝光平臺以及顯影機的尺寸也隨之增大。濾光板和TFT陣列基板進行貼合后制成液晶顯示器時,要求濾光板遮光圖案面內分布呈現高度均勻性,否則由于遮光圖案線寬波動出現漏光以及漏黑的現象,最終造成液晶顯示器件報廢,這種情況隨著基板尺寸、掩模板尺寸和產線尺寸增大而發生的幾率迅速增加,如大尺寸掩模板曝光時由于重力發生的彎曲,大型曝光機本身的光強和間距分布均勻性,大型顯影機特別是傾斜式顯影機本身的不均勻性都成為了影響濾光板遮光圖案線寬的因素。
發明內容
本發明解決的問題是現有技術的液晶顯示裝置在基板尺寸越來越大時,容易出現漏光以及漏黑的現象。
為解決上述問題,本發明提供一種制造液晶面板用濾光板時使用的掩模板,包括:
基板,所述基板的邊長大于所述濾光板的邊長;
位于所述基板上的圖形層,所述圖形層包含形成至少3個液晶面板的濾光板上的遮光圖案的開口區,以及開口區界定出的遮光區;
所述圖形層分為中央區域和周邊區域,位于周邊區域至少1個液晶面板的開口區的線寬與位于中央區域液晶面板的開口區的線寬不相等。
可選的,所述位于周邊區域至少1個液晶面板的開口區線寬大于中央區域液晶面板的開口區的線寬。
可選的,所述位于周邊區域至少1個液晶面板的開口區線寬小于中央區域液晶面板的開口區的線寬。
可選的,所述周邊區域每一個液晶面板的開口區線寬與中央區域液晶面板的開口區的線寬均不同。
可選的,每一個液晶面板的圖形層完全位于所述中央區域或所述周邊區域。
可選的,位于周邊區域的液晶面板的開口區與位于中央區域液晶面板的開口區的線寬差為0.3微米至1.5微米。
本發明還提供一種形成濾光板的方法,包括:
提供基底;
在所述基底上形成遮光層;
利用所述的掩模板對所述遮光層進行曝光,形成遮光圖案。
可選的,所述曝光采用的曝光機為近接式曝光機或者投射式曝光機。
可選的,形成遮光圖案后,還包括:在所述遮光圖案上形成濾光層、公共電極層;
或者,在形成遮光圖案之前,還包括:在所述基底上形成濾光層、公共電極層;
或者,在形成遮光圖案之前,在所述基底上形成濾光層,在形成遮光圖案之后,在遮光圖案上形成公共電極層;
或者,在形成遮光圖案之前,在所述基底上形成公共電極層,在形成遮光圖案之后,在遮光圖案上形成濾光層。
本發明還提供一種顯示裝置,包括:利用所述方法形成的濾光板。
與現有技術相比,本發明具有以下優點:
本技術方案的掩模板周邊區域至少1個液晶面板開口區的線寬和中央區域液晶面板開口區的線寬不相等。當重力作用造成中央區域彎曲時,設計成中央區域液晶面板開口區的線寬大于周邊區域液晶面板開口區的線寬;當重力作用造成周邊區域彎曲時,設計成中央區域液晶面板開口區的線寬小于周邊區域液晶面板開口區的線寬。這樣相對于現有技術中,中央區域和周邊區域中開口區的線寬相等而言,對掩模板由于重力作用而彎曲對遮光圖案造成的影響進行校正,使利用本技術方案的掩模板形成遮光圖案時,中央區域和周邊區域的遮光圖案的線寬基本相等,從而解決現有技術中液晶顯示裝置在基板尺寸越來越大時,容易出現漏光以及漏黑的現象。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





