[發(fā)明專利]一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210536515.4
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103014633A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何霞文
• 申請（專利權(quán)）人: 何霞文
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，包括以下步驟：

1)超聲波清洗；

2)二次爐內(nèi)離子束放電清洗；

3)第三次離子束電弧清洗；

4)真空爐內(nèi)電場和磁場中以金屬離子致密成膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述超聲波清洗，具體為：金屬工件放進(jìn)帶中性凈洗劑的超聲波中清洗后，通過純凈水清洗，吹干或烘干處理后，進(jìn)行檢驗(yàn)合格后裝夾。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述二次爐內(nèi)離子束放電清洗，具體為：將金屬工件裝進(jìn)PVD真空鍍膜機(jī)關(guān)門抽真空；在PVD真空鍍膜機(jī)內(nèi)進(jìn)行加溫處理，加溫至100-300度，進(jìn)行二次爐內(nèi)離子束放電清洗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述第三次離子束電弧清洗，具體為，在真空背景下，爐內(nèi)加入惰性氣體，給金屬工件加上100-1000V負(fù)偏壓，打開電弧靶，進(jìn)行爐內(nèi)第三次離子束電弧清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述真空爐內(nèi)電場和磁場中以金屬離子致密成膜，具體為：爐內(nèi)第三次離子束電弧清洗后，降低偏壓、調(diào)節(jié)靶的電流、惰性氣體的流量，真空爐內(nèi)通過電場和磁場的作用下，使單金屬靶或合金靶上的金屬以離子方式在金屬工件上致密成金屬陶瓷復(fù)合膜，冷卻出爐。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所示的復(fù)合陶瓷膜的制備工藝，其特征在于：所述惰性氣體可以為氮?dú)饣驓鍤狻?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述使單金屬靶或合金靶上的金屬以離子方式在金屬工件上致密成金屬陶瓷復(fù)合膜，具體為：用單金屬純鉻靶打底層，單金屬純鉻靶和五元素合金靶做過渡層，五元素合金靶成膜或再用二元素合金靶或石墨靶成膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述使單金屬靶或合金靶上的金屬以離子方式在金屬工件上致密成金屬陶瓷復(fù)合膜，具體為：用單金屬純鈦靶打底層，單金屬純鈦靶和五元素合金靶做過渡層，五元素合金靶成膜，或再用二元素合金靶或石墨靶成膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述五元素合金靶包括：鈦1～5％、釔0.1～2％、鋁1～5％、鉻30～50％、鎳為余量。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述一種帶有復(fù)合陶瓷膜的金屬工件的制備工藝，其特征在于：所述二元素合金靶包括：鈦20～50％、鋁50～80％。