[發明專利]一種h-BN/VB2可加工陶瓷的制備方法無效
| 申請號: | 201210536078.6 | 申請日: | 2012-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN102964126A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 唐竹興 | 申請(專利權)人: | 山東理工大學 |
| 主分類號: | C04B35/58 | 分類號: | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/628 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 255086 山東省淄博市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 bn vb sub 可加工 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種h-BN/VB2可加工陶瓷的制備方法,其特征在于:采用h-BN包覆VB2陶瓷粉體經冷等靜壓成型后熱壓燒成h-BN/?VB2可加工陶瓷,具體方法包括以下步驟:
第一步:將硼酸:尿素以重量比為2:1的比例均勻混合,外加30~60%乙醇在密閉容器中50~90℃加熱處理10~24小時后再攪拌10~30分鐘制成酯化溶液;
第二步:將粒度為0.1~2μm的VB2陶瓷粉體?40~70%加入到30~60%的上述酯化溶液中球磨制成陶瓷漿料,然后通過噴霧造粒機將上述陶瓷漿料制成直徑為0.01~0.5mm的包覆VB2粉體,將上述包覆VB2粉體在溫度為600~1000℃×30~60分鐘氮氣氣氛氮化獲得h-BN包覆VB2陶瓷粉體,將h-BN包覆VB2陶瓷粉體在100~200MPa.的壓力下經冷等靜壓制成?60×10~20mm片狀坯體,然后在1700~1850℃×30~180分鐘氮氣氣氛下熱壓5~100MPa.燒制成h-BN/?VB2可加工陶瓷。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東理工大學,未經山東理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210536078.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種壓花機的計時控制電路
- 下一篇:液晶顯示器
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





