[發明專利]一種h-BN/HfC可加工陶瓷的制備方法無效
| 申請號： | 201210535545.3 | 申請日： | 2012-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN102992768A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 唐竹興 | 申請（專利權）人： | 山東理工大學 |
| 主分類號： | C04B35/56 | 分類號： | C04B35/56;C04B35/628 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 bn hfc 可加工 陶瓷 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種h-BN/HfC可加工陶瓷的制備方法，其特征在于：采用h-BN包覆HfC陶瓷粉體經冷等靜壓成型后熱壓燒成h-BN/HfC可加工陶瓷，具體方法包括以下步驟：
第一步：將硼酸：尿素以重量比為2：1的比例均勻混合，外加30~60%乙醇在密閉容器中50~90℃加熱處理10~24小時后再攪拌10~30分鐘制成酯化溶液；
第二步：將粒度為0.1~2μm?的HfC陶瓷粉體40~70%加入到30~60%的上述酯化溶液中球磨制成陶瓷漿料，然后通過噴霧造粒機將上述陶瓷漿料制成直徑為0.01~0.5mm的包覆HfC粉體，將上述包覆HfC粉體在溫度為600~1000℃×30~60分鐘氮氣氣氛氮化獲得h-BN包覆HfC陶瓷粉體，將h-BN包覆HfC陶瓷粉體在100~200MPa.的壓力下經冷等靜壓制成?60×10~20mm片狀坯體，然后在1700~1850℃×30~180分鐘氮氣氣氛下熱壓5~100MPa.燒制成h-BN/HfC可加工陶瓷。
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