[發(fā)明專利]帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210535538.3
• 申請(qǐng)日: 2012-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN103000677A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王玉東;付軍;崔杰;趙悅;張偉;劉志弘;吳正立;李高慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/73
• 分類號(hào): H01L29/73;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 北京中偉智信專利商標(biāo)代理事務(wù)所 11325
• 代理人: 張岱

1.一種帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管，其特征在于，所述晶體管包括第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)，位于所述發(fā)射區(qū)側(cè)面的本征基區(qū)，位于所述本征基區(qū)側(cè)面的收集區(qū)，位于所述發(fā)射區(qū)上方的發(fā)射區(qū)介質(zhì)層，位于所述發(fā)射區(qū)介質(zhì)層上方的外基區(qū)，位于外基區(qū)上方的基區(qū)介質(zhì)層，以及位于襯底上方的襯底復(fù)合介質(zhì)層；所述襯底復(fù)合介質(zhì)層包括位于襯底上的氧化硅層和位于所述氧化硅層上的氮化硅層；所述本征基區(qū)位于襯底復(fù)合介質(zhì)層的上方；所述收集區(qū)位于襯底復(fù)合介質(zhì)層的上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管，其特征在于，所述本征基區(qū)的材料為硅、鍺硅或鍺硅碳。

3.一種帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管制備方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：

3.1在襯底上依次形成第一氧化硅層、第一氮化硅層和第二氧化硅層；去除部分第一氧化硅層、第一氮化硅層和第二氧化硅層形成窗口，在窗口內(nèi)采用外延工藝制備單晶硅層，形成發(fā)射區(qū)；在所述發(fā)射區(qū)上制備隔離氧化層，形成發(fā)射區(qū)介質(zhì)層；

3.2去除所述第二氧化硅層；在暴露的發(fā)射區(qū)側(cè)面和上面圖形外延一層外延層，對(duì)所述外延層進(jìn)行原位摻雜；

3.3在所得結(jié)構(gòu)上淀積第三氧化層，然后平坦化，暴露出外延層的上表面；

3.4在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二氮化硅層，在所述第二氮化硅層上對(duì)應(yīng)外延層處開窗口，暴露出所述外延層的上表面；

3.5在所得結(jié)構(gòu)上淀積外基區(qū)多晶層，對(duì)所述外基區(qū)多晶層進(jìn)行摻雜；淀積第三氮化硅層；

3.6依次去除部分第三氮化硅層、外基區(qū)多晶層和第二氮化硅層，保留的第三氮化硅層、外基區(qū)多晶層和第二氮化硅層形成外基區(qū)，位于發(fā)射區(qū)側(cè)面的外延層形成本征基區(qū)；在所述外基區(qū)側(cè)面制備側(cè)墻；

3.7以側(cè)墻為掩蔽去除第三氧化硅層，形成集電區(qū)；

3.8制備孔，引出金屬電極線，形成基極、發(fā)射極和收集極，表面鈍化。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管制備方法，其特征在于，步驟3.1中在所述發(fā)射區(qū)上制備隔離氧化層采用的是注氧工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管制備方法，其特征在于，步驟3.2中圖形外延形成的外延層為硅層、鍺硅層或鍺硅碳層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管制備方法，其特征在于，步驟3.7中形成集電區(qū)所采用的方法為選擇外延。