[發明專利]一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡

有效

• 申請號: 201210534992.7
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103022611A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 李翠霞;祝大龍;劉德喜
• 申請（專利權）人: 北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司
• 主分類號: H01P5/00
• 分類號: H01P5/00
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 范曉毅

1.一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：由平行排布的第一介質基板(1)、中間地層(5)和第二介質基板(2)組合而成，其中第一介質基板(1)的一端設置有頂層微帶結構(3)、第二介質基板(2)的另一端設置有底層微帶結構(4)，頂層微帶結構(3)與底層微帶結構(4)結構完全相同，相對排布，中間地層(5)為開有U型耦合槽(6)的金屬層，其中頂層微帶結構(3)與底層微帶結構(4)包括第一微帶線(8)、第二微帶線(9)和兩階終端開路的高低阻抗短截線(7)，兩階終端開路的高低阻抗短截線(7)位于第一微帶線(8)和第二微帶線(9)之間。

2.根據權利要求1所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述第一介質基板(1)和第二介質基板(2)的厚度為0.1～3mm。

3.根據權利要求1或2所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述頂層微帶結構(3)與底層微帶結構(4)的厚度為8～70um。

4.根據權利要求1所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述中間地層(5)的厚度為8～70um。

5.根據權利要求1所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述U型耦合槽(6)的中心O點到頂層微帶結構(3)的終端A的水平距離為3/20λ～7/20λ，U型耦合槽(6)的中心O點到底層微帶結構(4)的終端B的水平距離為3/20λ～7/20λ，其中λ為微帶信號中心頻率對應的介質波長。

6.根據權利要求1所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述兩階終端開路的高低阻抗短截線(7)中第一階高阻抗線(7a1)的寬度為0.5～1mm，長度為1/20λ～3/20λ，第一階低阻抗線(7a2)的寬度為3～5mm，長度為0.2～0.8mm；第二階高阻抗線(7b1)的寬度為0.2～0.8mm，長度為1/20λ～3/20λ，第二階低阻抗線(7b2)的寬度為3～5mm，長度為0.2～0.8mm，其中λ為微帶信號中心頻率對應的介質波長。

7.根據權利要求5所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述兩階終端開路的高低阻抗短截線(7)中第二階低阻抗線(7b2)的中心與U型耦合槽(6)的中心O點間距為2/W-0.5mm～2/W+0.5mm，其中W為U型耦合槽(6)的槽寬。

8.根據權利要求1所述的一種寬帶微帶到微帶的垂直過渡，其特征在于：所述中間地層(5)開設的U型耦合槽(6)的槽寬為0.2～0.8mm，縱向長度H為3/20λ～7/20λ，橫向長度L為3/20λ～7/20λ，其中λ為微帶信號中心頻率對應的介質波長。