[發明專利]一種重摻磷單晶硅晶圓片高致密性二氧化硅背封工藝

無效

• 申請號: 201210534625.7
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN102969229A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 李滿;李家友;齊呈躍;王瑋;劉沛然
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種重摻磷單晶硅晶圓片高致密性二氧化硅背封工藝，其特征在于，所述工藝包括如下次序步驟：

步驟一、采用背封機，利用常壓化學氣相沉積法制備二氧化硅薄膜：

（1）、通過機械手將放置在碳化硅托盤上的硅晶圓片傳送到反應腔室；

（2）、開始向反應腔室內通入硅烷及氧氣，其濃度配比為硅烷：氧氣=1:8～1:12?；

（3）、碳化硅托盤底部加熱單元加熱溫度為650-750℃，硅晶圓片上覆蓋有冷卻水單元使硅晶圓片表面溫度保持在400-500℃；

（4）、通過反應腔室的噴頭將反應物二氧化硅沉積在硅晶圓片表面；

步驟二、利用半導體制造中的熱退火制程對帶有二氧化硅的硅晶圓片進行退火：

（1）、將帶有二氧化硅的硅晶圓片裝載在石英舟中，再將石英舟裝入高溫退火爐中，爐體溫度保持400至500℃；

（2）、保持通入純度≥99%的氮氣，流量為24L/min；?

（3）、開始升溫，在15至20分鐘內，爐體升溫至600℃－700^oC，然后恒溫退火30分鐘以上；

（4）、取出裝載處理過的硅晶圓片的石英舟，自然冷卻到室溫后，將硅晶圓片取出；

步驟三、最后利用劃磨式或手貼膜式去除氧化膜的方法去除硅晶圓片正面及邊緣的氧化層。