[發明專利]一種以膠膜替代底填料的單芯片封裝件及其制作工藝

在審

• 申請號: 201210534223.7
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103021988A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 郭小偉;劉建軍;諶世廣;崔夢;劉衛東
• 申請（專利權）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種以膠膜替代底填料的單芯片封裝件，其特征在于：主要由基板（1）、鎳金焊盤（2）、芯片（3）、錫銀凸點（4）、膠膜（5）和錫球（8）組成；所述鎳金焊盤（2）固定連接于基板（1）上，錫銀凸點(4）固定連接于芯片（3）上；所述錫銀凸點（4）與鎳金焊盤（2）的中心線重合并焊接連接；所述膠膜（5）填充基板（1）與芯片（3）之間的空隙，并包圍鎳金焊盤（2）和錫銀凸點（4）。

2.一種以膠膜替代底填料的單芯片封裝件的制作工藝，其特征在于：其按照如下步驟進行：

第一步、貼膠膜（5）：首先，在整個晶圓表面均勻地旋轉涂布一層化學膠膜（5），厚度150μm，使膠膜（5）完全覆蓋錫銀凸點（4）；其次，將晶圓放在加熱平臺上加熱，溫度在80--100℃，使膠膜（5）一次固化；最后，用金剛石刀片或者激光將晶圓切割成單個芯片（3）；

第二步、上芯、回流焊：首先，芯片（3）被精確地定位在基板（1）上，使芯片（3）的錫銀凸點（4）與基板（1）的鎳金焊盤（2）的中心線重合并接觸；其次，設置回流焊爐各溫區的溫度為255±5℃，錫銀凸點（4）與鎳金焊盤（2）先有效形成焊接結，即金屬間化合物；同時，膠膜（5）受熱熔化填充芯片（3）與基板（1）之間的空隙并二次固化；

第三步、晶圓背面減薄；用金剛石研磨輪先進行粗磨，然后精磨，最終減薄厚度減薄至100μm以下；

第四步、植球、檢驗、包裝、入庫均同傳統工藝。