[發(fā)明專利]一種以膠膜替代底填料的單芯片封裝件及其制作工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210534223.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103021988A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭小偉;劉建軍;諶世廣;崔夢(mèng);劉衛(wèi)東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種以膠膜替代底填料的單芯片封裝件，其特征在于：主要由基板（1）、鎳金焊盤（2）、芯片（3）、錫銀凸點(diǎn)（4）、膠膜（5）和錫球（8）組成；所述鎳金焊盤（2）固定連接于基板（1）上，錫銀凸點(diǎn)(4）固定連接于芯片（3）上；所述錫銀凸點(diǎn)（4）與鎳金焊盤（2）的中心線重合并焊接連接；所述膠膜（5）填充基板（1）與芯片（3）之間的空隙，并包圍鎳金焊盤（2）和錫銀凸點(diǎn)（4）。

2.一種以膠膜替代底填料的單芯片封裝件的制作工藝，其特征在于：其按照如下步驟進(jìn)行：

第一步、貼膠膜（5）：首先，在整個(gè)晶圓表面均勻地旋轉(zhuǎn)涂布一層化學(xué)膠膜（5），厚度150μm，使膠膜（5）完全覆蓋錫銀凸點(diǎn)（4）；其次，將晶圓放在加熱平臺(tái)上加熱，溫度在80--100℃，使膠膜（5）一次固化；最后，用金剛石刀片或者激光將晶圓切割成單個(gè)芯片（3）；

第二步、上芯、回流焊：首先，芯片（3）被精確地定位在基板（1）上，使芯片（3）的錫銀凸點(diǎn)（4）與基板（1）的鎳金焊盤（2）的中心線重合并接觸；其次，設(shè)置回流焊爐各溫區(qū)的溫度為255±5℃，錫銀凸點(diǎn)（4）與鎳金焊盤（2）先有效形成焊接結(jié)，即金屬間化合物；同時(shí)，膠膜（5）受熱熔化填充芯片（3）與基板（1）之間的空隙并二次固化；

第三步、晶圓背面減薄；用金剛石研磨輪先進(jìn)行粗磨，然后精磨，最終減薄厚度減薄至100μm以下；

第四步、植球、檢驗(yàn)、包裝、入庫(kù)均同傳統(tǒng)工藝。