[發(fā)明專利]一種金屬鋁基氮化鋁封裝基板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210533907.5 | 申請日： | 2012-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN103035585A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王文峰;張軍;李明鶴;彭雷 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢鉑巖科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/14 | 分類號： | H01L23/14;H01L23/373;H01L21/48;C23C28/02;C25D11/02 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人： | 黃挺 |
| 地址： | 430200 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬 氮化 封裝 及其 制備 方法 | ||
1.一種金屬鋁基氮化鋁封裝基板，其特征在于，該封裝基板包括一金屬鋁基底，在金屬鋁基底表面形成的多孔型陽極氧化鋁膜，和在陽極氧化鋁膜表面形成的氮化鋁薄膜，其中陽極氧化鋁膜的孔隙率由金屬鋁基底到氮化鋁薄膜方向逐漸降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬鋁基氮化鋁封裝基板，其特征在于，所述陽極氧化鋁膜的厚度為1~10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬鋁基氮化鋁封裝基板，其特征在于，所述氮化鋁薄膜厚度大于0而不超過4μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬鋁基氮化鋁封裝基板，其特征在于，所述陽極氧化鋁膜與氮化鋁薄膜的厚度相同。
5.權(quán)利要求1~4任一所述的金屬鋁基氮化鋁封裝基板的制備方法，其特征在于，以金屬鋁為基底，在鋁金屬的一面進行陽極氧化處理而產(chǎn)生一層多孔型陽極氧化鋁膜，然后在陽極氧化鋁膜上通過真空沉積技術(shù)鍍氮化鋁薄膜，得到封裝基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬鋁基氮化鋁封裝基板的制備方法，其特征在于，所述陽極氧化處理中，陽極氧化溫度控制采用漸變或多級梯度變化，變化范圍在-30~4℃之間，起始溫度低，末期溫度高。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬鋁基氮化鋁封裝基板的制備方法，其特征在于，所述陽極氧化處理中，陽極氧化電壓采用漸變或多級梯度變化，變化范圍在40~200V之間，起始電壓高，末期電壓低。
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