[發明專利]一種制備隱形結構襯底的方法

有效

• 申請號: 201210533750.6
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN102962588A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 羅睿宏;梁智文;張國義
• 申請（專利權）人: 東莞市中鎵半導體科技有限公司
• 主分類號: B23K26/14
• 分類號: B23K26/14;B23K26/04;H01L21/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 譚一兵;王東亮

1.一種制備隱形結構襯底的方法，利用外延使用的隱形結構襯底制備技術，通過深度可控自由聚焦激光系統來改變不同深度的材料性質，達到特殊功能結構襯底的制備效果，利用激光技術，實現高效制備Si?、藍寶石、SiC的III-V或者II-VI化合物隱形結構襯底，其特征在于，制備方法的步驟如下：

①、清潔好襯底備用；

②、激光發射器下面設置聚焦裝置，激光發射器內設有能實現二維及三維可編程化圖形移動的模塊，聚焦裝置設有聚焦深度可控模塊，在聚焦裝置設置普通襯底；

③、通過軟件進行圖像化設計，并控制激光發射器的激光束通過聚焦裝置按照圖像定位進行聚焦，使激光束改變普通襯底聚焦處的材料性質；

④、激光發射器設置設有步進系統，激光束平面移動通過X、Y坐標的步進系統來控制，步進系統的方式包括連續掃描、間接掃描，步進方向可調，聚焦裝置通過Z軸來控制激光束在普通襯底上的位置，從而定點定位地改變普通襯底的相關性能；

⑤、激光源通過使用波長100-2000nm或調節功率10mw-10w的激光發射器實現激光能量的制備，聚焦層在襯底內部；

⑥、襯底材料性質改變獲得包括密度、楊氏模量、晶格常數、晶相、化學鍵能、熱膨脹系數、原子構成中的一種或多種組合；

⑦、通過襯底材料所處的氣氛環境，配合激光聚焦裝置完成，得到隱形結構襯底成品。

2.根據權利要求1所述的一種制備隱形結構襯底的方法，其特征在于，所述步驟③激光束在普通襯底內部聚焦，進行單層性能改善，性能改變層經過激光處理后，各方面的性能發生了相應的改善，晶格常數、晶相、楊氏模量、熱膨脹系數，在一定氣氛下發生化學結構重組改變材料性質。

3.根據權利要求1所述的一種制備隱形結構襯底的方法，其特征在于，所述步驟③在普通襯底內部進行多層或者周期性地改善。

4.根據權利要求1所述的一種制備隱形結構襯底的方法，其特征在于，所述步驟③性能改善層通過激光聚焦高溫方式使襯底內部結構重組或分解揮發形成空氣隙鏤空襯底層，最終形成性能等方面與需要的外延生長層匹配的隱形結構襯底。

5.根據權利要求1所述的一種制備隱形結構襯底的方法，其特征在于，所述步驟⑦中的氣氛是氫氣、氮氣、氧氣、氦氣、空氣。