[發(fā)明專利]一種處理半導體芯片的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210533689.5 | 申請日： | 2012-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN103871836A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳建國;賀冠中;李天賀;李昆樂 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 處理 半導體 芯片 方法 | ||
1.一種處理半導體芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：
清除半導體芯片附著的污染物，獲得清潔后的半導體芯片；
往置放有所述清潔后的半導體芯片的加工爐中通入符合第一預設條件的混合氣體，以將所述半導體芯片中柵極氧化層和多晶硅界面處的懸掛鍵調整為硅氫鍵，其中，所述混合氣體中包括氮氣和氫氣。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述清除半導體芯片附著的污染物，具體包括：
清洗所述半導體芯片，以清除顆粒沾污；
按預設規(guī)則減薄所述半導體芯片的硅片，以清除背面金屬沾污，獲得清潔后的半導體芯片。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述往置放有所述清潔后的半導體芯片的加工爐中通入符合第一預設條件的混合氣體之前，所述方法還包括：
往置放有所述清潔后的半導體芯片的加工爐中通入符合第二預設條件的氮氣，以將所述加工爐中的污染氣體和顆粒排出所述加工爐，使所述清潔后的半導體芯片進入加載過程。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于,在所述往置放有所述清潔后的半導體芯片的加工爐中通入符合第一預設條件的混合氣體之后，所述方法還包括：
往置放有所述清潔后的半導體芯片的加工爐中通入符合第三預設條件的氮氣，以使所述清潔后的半導體芯片進入卸載過程；
往置放有所述清潔后的半導體芯片的加工爐中通入符合第四預設條件的氮氣，以使所述清潔后的半導體芯片進入冷卻過程。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合氣體的體積具體為10升，其中，氫氣與氮氣含量的比例為4:96。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預設條件具體為：通入時間為60分鐘，溫度維持425℃。
7.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二預設條件具體為：通入時間為28.2分鐘，溫度從25℃升到425℃。
8.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三預設條件具體為：通入時間為28.2分鐘，溫度維持425℃。
9.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第四預設條件具體為：通入時間為28.2分鐘，溫度從425℃降到25℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
