[發明專利]一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法

在審

• 申請號: 201210533271.4
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103004868A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 邵鵬飛
• 申請（專利權）人: 邵鵬飛
• 主分類號: A01N59/00
• 分類號: A01N59/00;A01P1/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供pH調節劑A單元；

(2)提供有效氯提供單元B單元；

(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量為3-5000mg/L，其總銅的含量不高于2000mg/L。

2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。

3.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中還包括：對所述A單元進行去除部分銅的預處理。

4.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中還包括：對所述B單元進行去除部分銅的預處理。

5.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中還包括：對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行去除部分銅的后處理。

6.如權利要求3所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，對所述A單元進行去除部分銅的預處理的方法選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。

7.如權利要求4所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，對所述B單元進行去除部分銅的預處理的方法選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。

8.如權利要求5所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述對A單元與B單元混合后的混合液進行去除部分銅的后處理的方法選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。

9.如權利要求6或7或8所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述去除部分銅的處理方式為快速處理方式，或低溫條件下處理，或將B單元離子型有效氯轉為分子型有效氯；或將離子銅轉為非離子性衍生物，使之與離子型有效成分區分，去除目的性雜質銅后，再恢復至有效氯的穩定形態。

10.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述A單元為酸性或弱堿性。

11.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。

12.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述B單元為中性或者堿性。

13.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為pH調節劑；所述B單元為有效氯提供單元，所述A單元與所述B單元混合后得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量為3-5000mg/L，其總銅的含量不高于2000mg/L。

14.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述強氧化性溶液中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。

15.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。

16.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述B單元為中性或者堿性。

17.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量為3-5000mg/L，其總銅的含量不高于2000mg/L。

18.如權利要求17所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。