[發明專利]一種LED芯片及其制作方法有效
| 申請號： | 201210533174.5 | 申請日： | 2012-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN102983236A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 畢少強 | 申請（專利權）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種LED芯片，包括襯底以及依次于所述襯底上的N型GaN層、有源層和P型GaN層，其特征在于：在所述有源層與其相鄰層的界面上形成有第一金屬納米顆粒陣列。
2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒包括金屬芯和電介質外殼。
3.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述金屬芯材質為Au或Ag。
4.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述電介質外殼材質為SiO2。
5.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒的形狀為球形、橢球形或三角錐形中的一種。
6.如權利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒的形狀為球形。
7.如權利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒之間的間距大于等于所述金屬納米顆粒的直徑。
8.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列形成于所述有源層與P型GaN層的界面上。
9.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列形成于所述有源層與N型GaN層的界面上。
10.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于：在所述P型GaN層表面形成有第二金屬納米顆粒陣列。
11.如權利要求1至10中任一項所述的LED芯片，其特征在于：所述襯底是經過圖形化處理的藍寶石襯底。
12.一種如權利要求1所述的LED芯片的制造方法，包括：
提供襯底，在所述襯底上形成N型GaN層；
在所述N型GaN層上形成有源層和第一金屬納米顆粒陣列；
在所述N型GaN層上形成P型GaN層。
13.如權利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：先在N型GaN層上形成第一金屬納米顆粒陣列，然后形成有源層。
14.如權利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：先在N型GaN層上成有源層，然后在有源層上形成第一金屬納米顆粒陣列。
15.如權利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒包括金屬芯和電介質外殼。
16.如權利要求15所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒的形狀為球形、橢球形或三角錐形中的一種。
17.如權利要求16所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一金屬納米顆粒陣列的金屬納米顆粒之間的間距大于等于所述金屬納米顆粒的尺寸。
18.如權利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：在形成P型GaN層之后在所述P型GaN層表面形成第二金屬納米顆粒陣列。
19.如權利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：在形成所述N型GaN層前對所述襯底進行圖形化處理。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于映瑞光電科技（上海）有限公司，未經映瑞光電科技（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210533174.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
