[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210532267.6 | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN103383952B | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 柳春基;崔埈厚;樸鐘賢;樸景薰;金正桓;許成權(quán) | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,羅正云 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
相關(guān)專利申請的交叉引用
本申請要求2012年5月3日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2012-0047121的權(quán)益,其所有公開內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
實施例涉及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
近來,顯示裝置已被便攜式薄膜平板顯示裝置取而代之。有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光顯示裝置,其具有大的視角、改進的對比度特性以及快的響應速度。因此,有機發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示裝置備受關(guān)注。
有機發(fā)光顯示裝置包括中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機發(fā)射層。當向第一電極和第二電極施加電壓時,從有機發(fā)射層發(fā)出可見光。
發(fā)明內(nèi)容
實施例涉及一種有機發(fā)光顯示裝置,包括:基板;位于所述基板上的緩沖膜,所述緩沖膜包括通孔;位于所述緩沖膜上的薄膜晶體管(TFT),所述TFT包括有源層、柵電極、源電極以及漏電極;電連接至所述源電極和所述漏電極中之一并且與所述通孔對應的第一電極;位于所述第一電極上的中間層,所述中間層包括有機發(fā)射層;以及位于所述中間層上的第二電極。
所述有機發(fā)光顯示裝置可進一步包括被布置為使所述柵電極和所述有源層彼此絕緣的柵極絕緣膜。所述第一電極可位于所述柵極絕緣膜上。所述柵極絕緣膜可填充所述通孔。所述通孔可大于所述第一電極。
所述第一電極可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋅鋁(AZO)。
所述第一電極可位于所述柵電極被設置在的層上,并且可包含選自于形成所述柵電極的材料中的至少一種材料。
所述柵電極可包括第一導電層和第二導電層,所述第二導電層位于所述第一導電層上。所述第一電極可位于所述第一導電層被設置在的層上。所述第一電極可包括與所述第一導電層相同的材料。
所述中間層可與所述TFT間隔開,以不與所述TFT重疊。
所述有機發(fā)光顯示裝置可進一步包括電容器,所述電容器包括第一電容器電極和第二電容器電極,所述第一電容器電極位于所述有源層被設置在的層上,所述第二電容器電極位于所述柵電極被設置在的層上。
實施例還涉及一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法,該方法包括:在基板上形成緩沖膜以包括通孔;在所述緩沖膜上形成薄膜晶體管(TFT),所述TFT包括有源層、柵電極、源電極以及漏電級;形成被電連接至所述源電極和所述漏電極中之一并且與所述通孔對應的第一電極;在所述第一電極上形成中間層,所述中間層包括有機發(fā)射層;以及在所述中間層上形成第二電極。
可根據(jù)利用網(wǎng)板掩模的圖案化工藝形成所述緩沖膜和所述有源層。
形成所述緩沖膜可包括在所述基板上形成緩沖膜材料層;在所述緩沖膜材料層上形成所述有源層;形成蝕刻掩模,以覆蓋所述有源層并且不覆蓋其中形成所述通孔的區(qū)域;以及通過利用所述蝕刻掩模進行蝕刻工藝形成所述通孔。
所述方法可進一步包括在進行所述蝕刻工藝之后進行灰化工藝,所述灰化工藝是在去除所述蝕刻掩模之前進行的。
形成所述有源層可至少包括結(jié)晶工藝。
所述方法可進一步包括在所述柵電極和所述有源層之間形成柵極絕緣膜,并且在所述柵極絕緣膜上形成所述第一電極。
可將所述柵極絕緣膜形成為填充所述通孔。
所述通孔可大于所述第一電極。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例,特征將變得明顯,在附圖中:
圖1是根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖;
圖2A至圖2D是圖示根據(jù)實施例的用于制造有機發(fā)光顯示裝置的方法中的過程的示意性剖面圖;并且
圖3A至圖3F是圖示根據(jù)另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法中的過程的示意性剖面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將在下文中參照附圖更為充分地描述示例實施例,然而,這些示例實施例可以以不同的形式被體現(xiàn),并且不應被解釋為限制于在本文中闡述的實施例。相反地,提供這些實施例,使得本公開詳盡、完全,并且將充分地向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達本發(fā)明的范圍。
在本文中使用的諸如“…中的至少一個”的表述當位于一列要素之前時修改整列要素,而未修改該列中單獨的要素。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210532267.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





