[發(fā)明專利]HC-49S型石英晶體諧振器用晶片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210532266.1
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103036526A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳成秀;吳亞華
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽銅峰電子股份有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34118
• 代理人: 張克華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種石英晶體諧振器，具體地說是一種HC-49S型石英晶體諧振器用晶片。

背景技術(shù)

石英晶片是石英晶體諧振器的主體，在晶體諧振器制造中，需要在晶片部分表面鍍上一層銀層，以形成晶片的電極即通常所說的鍍銀電極，使晶體在電場的作用下形成逆壓電效應(yīng)，其電性能主要是由晶片及其搭配的電極共同決定。為了保護(hù)晶片，一般是將晶片放置在基座內(nèi)，用導(dǎo)電膠將晶片固定在基座上，再將外殼與基座壓封。其牢固程度直接影響了晶體諧振器的可靠性。

目前常用的HC-49S型石英晶體諧振器所用晶片，如圖1所示，晶片本體1表面中間區(qū)域?yàn)殄冦y電極2，鍍銀電極2一側(cè)設(shè)有過渡帶3和電極引出端4。當(dāng)用導(dǎo)電膠覆蓋在電極引出端區(qū)域時(shí)，可將晶片固定在基座上。為了增加電極引出端與導(dǎo)電膠電連接的可靠性和導(dǎo)電性能，電極引出端4設(shè)有兩側(cè)凸起的凸出部41，以增加與導(dǎo)電膠的接觸面積。這種設(shè)計(jì)雖然電極引出端與外電極電連接的可靠性和導(dǎo)電性能增強(qiáng)，然而，由于導(dǎo)電膠主要覆蓋在晶片的電極引出端4、41（鍍層區(qū)域）上，導(dǎo)電膠只能在電極引出端邊緣區(qū)域11與晶體本體1接觸，晶片與基座的粘結(jié)強(qiáng)度相對較差，在受到撞擊后，容易引起電極引出端鍍層與晶片分層、甚至脫落，從而引起晶片松動(dòng)，造成石英晶體諧振器產(chǎn)品的可靠性下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種HC-49S型石英晶體諧振器用晶片，可以提高晶片與基座間的粘接強(qiáng)度，可以提高石英晶體諧振器產(chǎn)品的可靠性。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：晶片本體表面設(shè)有通過蒸鍍工藝形成的鍍銀電極、電極引出端以及連接鍍銀電極與電極引出端的過渡帶，所述電極引出端中間設(shè)有開口于晶片本體側(cè)端的非鍍層區(qū)域，使得晶片本體在電極引出端中間及兩側(cè)區(qū)域形成導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。

點(diǎn)膠后，導(dǎo)電膠不僅覆蓋在電極引出端表面，同時(shí)也覆蓋電極引出端兩側(cè)及中間非鍍層區(qū)域，導(dǎo)電膠不僅與晶片本體直接接觸，而且將電極引出端的兩塊金屬鍍層區(qū)域分別包夾在晶體本體上，極大的加強(qiáng)了晶片與基座的粘結(jié)強(qiáng)度。

由于電極引出端中間的非鍍層區(qū)域面積較小，并且導(dǎo)電膠覆蓋了周圍和下表面的有鍍層區(qū)域，不會(huì)對晶體諧振器的電性能造成影響。

所述電極引出端鍍層區(qū)域呈U形。這種U形結(jié)構(gòu)的電極引出端鍍層區(qū)域?qū)ΨQ性好，過電流均勻。

經(jīng)跌落試驗(yàn)，使用本發(fā)明晶片的晶體諧振器產(chǎn)品在1m高度3次自由跌落在厚度為3cm的木地板上，頻率變化在3ppm內(nèi)，電阻變化在5Ω之內(nèi)。而現(xiàn)有HC-49S型石英晶體諧振器頻率變化一般在5ppm內(nèi)。

振動(dòng)試驗(yàn)中，在振動(dòng)頻率10～55Hz、振幅1.5mm、周期1.5分鐘的條件下，循環(huán)在X、Y、Z軸方向各30分鐘，放置1小時(shí)后測試變化值。頻率變化在5ppm以內(nèi)。而現(xiàn)有HC-49S型石英晶體諧振器頻率變化一般在8ppm內(nèi)。

上述實(shí)驗(yàn)表明其耐跌落和振動(dòng)的頻率變化范圍均小于現(xiàn)有產(chǎn)品，其可靠性好于現(xiàn)有產(chǎn)品。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有HC-49S型石英晶體諧振器用晶片結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2所示，本發(fā)明晶片本體1表面設(shè)有通過蒸鍍工藝形成的鍍銀電極2、電極引出端4以及連接鍍銀電極2與電極引出端4的過渡帶3，所述電極引出端4的中間設(shè)有開口于晶片本體1側(cè)端的非鍍層區(qū)域14，電極引出端兩側(cè)鍍層區(qū)域42、43平行，使得電極引出端4呈U形。使得晶片本體1在電極引出端中間14及兩側(cè)區(qū)域12、13形成導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。

圖2中虛線5圍成的區(qū)域表示點(diǎn)膠后導(dǎo)電膠覆蓋區(qū)域。點(diǎn)膠后，導(dǎo)電膠不僅覆蓋在電極引出端42、43表面，同時(shí)也覆蓋電極引出端兩側(cè)12、13及中間非鍍層區(qū)域14，導(dǎo)電膠不僅與晶片本體直接接觸，而且將電極引出端的兩塊金屬鍍層區(qū)域42、43分別包夾在晶體本體上，極大的加強(qiáng)了晶片與基座的粘結(jié)強(qiáng)度。