[發明專利]一種晶圓級倒裝互聯方法無效
| 申請號： | 201210532188.5 | 申請日： | 2012-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN103065990A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 劉惠春 | 申請（專利權）人： | 山西國惠光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/603 | 分類號： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030006 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶圓級 倒裝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓級倒裝互聯方法，其特征在于：該方法是采用如下步驟實現的：
a.選取兩個晶圓（1）；
b.選取縱向導電材料，并將縱向導電材料加工成縱向導電材料層（2）；
c.將縱向導電材料層（2）層疊于其中一個晶圓（1）的上表面，并將另一個晶圓（1）層疊于縱向導電材料層（2）的上表面，然后向兩個晶圓（1）施加軸向擠壓力；
d.在軸向擠壓力的作用下，兩個晶圓（1）通過縱向導電材料層（2）倒裝互聯形成晶圓對。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓級倒裝互聯方法，其特征在于：所述步驟b-d中，縱向導電材料層（2）為微球陣列導電薄膜。
3.根據權利要求1所述的一種晶圓級倒裝互聯方法，其特征在于：所述步驟b-d中，縱向導電材料層（2）為特殊有機材料薄膜。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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