[發明專利]高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻及其制作方法

無效

• 申請號: 201210530870.0
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103021604A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 黃恩琳;黃子軒
• 申請（專利權）人: 廈門萊納電子有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C1/14
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 渠述華

技術領域

本發明主要涉及具有正溫度系數電阻率高分子聚合物的電子元件或裝置，特別是指一種高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻及其制作方法。

背景技術

具有正溫度系數（Positive?Temperature?Coefficient,?PTC）特性的導電復合材料的電阻具有對溫度變化反應敏銳的特性，目前已被廣泛應用于過電流保護元件或電路元件上。由于PTC導電復合材料在正常溫度下的電阻可維持極低值，使電路可以正常運作，當電路發生過大電流或過高溫度時，其電阻值會瞬時升高到高阻態狀態，使電路處于一種近似“開路”狀態，將電路電流限制在極低的水平，以達到保護電路的目的。而當故障排除后，熱敏電阻器的溫度下降，其電阻值又可恢復到低電阻狀態。

目前過電流保護用高分子熱敏電阻，也稱PPTC（Polymer?Positive?Temperature?coefficient）或自恢復保險絲，通常用結晶性高分子聚合物（例如高密度聚乙烯等），導電粉末（例如碳黑等），填料，抗氧劑，助交聯劑等經混煉加工芯材后，將金屬箔電極復合在芯材兩面，復合片材再經切割，或沖裁制成一定尺寸的芯片，再經焊接引線，包封而成。這已在本領域中公知。

利用現有結構設計及技術工藝生產的PPTC存在如下缺陷。在PPTC動作后，電壓幾乎都加在PPTC的兩電極之間，由于兩面邊緣的銅箔電極距離較近，在電壓較高的應用場合，例如220V電路，有時就容易在PPTC芯片邊緣產生爬電，跳火，當電弧嚴重時，容易產生擊穿、燃燒等現象，導致PPTC失效。

為解決這個問題，增大兩面銅箔電極之間的爬電距離，公開號為CN1416142的中國專利，是用電路板腐蝕技術，在芯片邊緣蝕刻掉一圈銅箔，以加大兩面銅箔電極之間的爬電距離，這樣的方法要增加幾道工序，成本增加。

而公開號為CN101315823A的中國專利提出另一種方法，將切割沖裁好的PPTC芯片再次放入熱壓機加熱加壓，以使PPTC料從邊緣擠出一點，以達到加大兩面銅箔電極之間的爬電距離的目的。這樣做同樣存在增加工序，效率低，成本增加的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻及其制作方法，其有效減少電極間電弧放電現象，以降低擊穿，同時具有制造成本低，便于加工的特點。

為實現上述目的，本發明的解決方案是：

一種高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構成；其中：在熱敏電阻的周緣裁切出斜面。

所述斜面是以芯材截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層傾斜形成上下兩斜面，即V型切斷面。

所述上下兩斜面為對稱或不對稱設置。

所述上下兩斜面分別與芯材截面中心線成20-80度的夾角。

所述斜面是以上下兩金屬箔電極層分別向芯材中部傾斜形成出上下兩斜面，上下兩斜面之間形成有直邊。

一種制作所述高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻的方法，其具體步驟為：

步驟1，將貼覆有金屬箔電極層的片材置于模具或夾具上；

步驟2，采用V型刀頭在片材兩面切割線上分別開出V形槽；

步驟3，依V形槽為斷線將各部分片材分離便形成多個單獨的高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻。

所述步驟3中再采用直切頭垂直裁切V形槽的底部便將各部分片材分離形成多個單獨的高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻。

一種高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻，由具有PTC特性的高分子材料芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔電極層構成；其中：在熱敏電阻的周緣裁切出弧面。

所述弧面是以芯材截面中心向外弧凸形成。

所述弧面是以芯截面中心線分別向兩面的金屬箔電極層形成內凹或外凸的上下兩弧面。

所述的上下兩弧面為對稱或不對稱設置。

一種制作所述高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻的方法，其具體步驟為：

步驟1，將貼覆有金屬箔電極層的片材置于模具或夾具上；

步驟2，采用弧形刀頭在片材兩面切割線上分別開出弧形槽；

步驟3，依弧形槽中心為斷線將各部分片材分離便形成多個單獨的高耐壓等級高分子PTC熱敏電阻。

所述步驟2中的弧形刀頭為兩邊對稱或不對稱的外凸弧形刀頭。

所述步驟2中的弧形刀頭為兩邊對稱或不對稱的內凹弧形刀頭。