[發明專利]一種制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法有效
| 申請號： | 201210530718.2 | 申請日： | 2012-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN103866266A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 張陽;董亞斌;盧維爾;解婧;李超波;夏洋 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/44;H01L21/205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 劉麗君 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 表面 粗糙 氧化鋅 薄膜 方法 | ||
1.一種制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
原子層沉積設備通入含鋅源氣體和含氧源氣體，在所述原子層沉積設備反應腔中的硅襯底表面生長氧化鋅薄膜；
所述原子層沉積設備通入含鋁源氣體和含氧源氣體，在所述氧化鋅薄膜表面生長氧化鋁層。
2.如權利要求1所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述硅襯底表面預先采用RCA標準清洗法進行清洗，在所述硅襯底表面形成硅醇鍵。
3.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述含鋅源氣體為高揮發性、高純度的有機鋅化合物，包括二甲基鋅或二乙基鋅；所述含鋅源氣體的進氣時間為0.1s-1s，反應時間為10s~60s。
4.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述含氧源氣體包括水蒸汽、臭氧或氧氣；所述含氧源氣體的進氣時間為0.1s-1s，反應時間為10s-60s。
5.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述含鋁源氣體包括三甲基鋁或三乙基鋁；所述含鋁源氣體的進氣時間為0.05s-1s，反應時間為1s-30s。
6.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述氧化鋅薄膜的厚度為1nm-10nm。
7.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述氧化鋅薄膜表面的粗糙度為0.1nm-0.3nm。
8.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述氧化鋁層的厚度為0.5nm-1nm。
9.如權利要求1或2所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述原子層沉積設備采用的載氣為氮氣；所述氮氣的流量為1sccm-1000sccm；所述原子層沉積設備反應腔中用于承載硅襯底的基盤的溫度為50℃-300℃。
10.如權利要求9所述的制備低表面粗糙度氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，所述方法還包括：采用所述載氣吹掃所述原子層沉積設備反應腔，載氣吹掃時間為30s-90s。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
