[發明專利]一種液晶顯示器的陣列基板及制造方法有效
| 申請號: | 201210530678.1 | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN102981340A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 朱夏明;孫亮;袁劍峰;林承武;邵喜斌 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;安利霞 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 液晶顯示器 陣列 制造 方法 | ||
1.一種液晶顯示器陣列基板,包括透明基板,設置于透明基板上的柵線和數據線,其特征在于,還包括:設置于透明基板上的透明導電條和柵短路條,所述透明導電條位于所述柵短路條下方,所述柵短路條與所述數據線同層設置。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述透明導電條的寬度大于所述柵短路條的寬度。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述柵金屬層采用鉬、鉻、鋁、銅、鉬/鋁釹或者鉬/鋁/鉬多層膜;
所述數據金屬層采用鉬、鉻、鋁、銅、鉬/鋁釹或者鉬/鋁/鉬多層膜。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
柵絕緣層,設置于所述柵電極之上且覆蓋整個基板;
半導體有源層、數據線、源電極和漏電極,位于所述柵絕緣層之上;
鈍化層,設置于所述源、漏電極之上且覆蓋整個基板,所述鈍化層在與漏電極對應位置形成有鈍化層過孔;
基于第二透明導電層形成的像素電極,位于所述鈍化層之上,通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一透明導電層和第二透明導電層采用氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或者銦摻雜氧化鋅薄膜。
6.一種液晶顯示器陣列基板的制造方法,其特征在于,方法包括:
在透明基板上形成第一透明導電層,通過構圖工藝形成公共電極和透明導電條,所述透明導電條設置于柵短路條的預設位置;
在所述形成有第一透明導電層圖形的基板上形成柵金屬層,通過構圖工藝形成柵線、柵電極、偶數據短路條或奇數據短路條;
以及,基于數據金屬層形成柵短路條。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,
所述透明導電條的寬度大于所述柵短路條的寬度。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,
所述柵金屬層采用鉬、鉻、鋁、銅、鉬/鋁釹或者鉬/鋁/鉬多層膜;
所述數據金屬層采用鉬、鉻、鋁、銅、鉬/鋁釹或者鉬/鋁/鉬多層膜。
9.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述形成柵短路條的步驟具體包括:在所述形成有柵金屬層圖形的基板上形成柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層和數據金屬層,通過一次構圖工藝形成柵短路條、奇數據短路條或偶數據短路條、奇數據線、偶數據線、源電極、漏電極和半導體有源層,所述構圖工藝通過半色調掩膜曝光或灰色調掩膜曝光工藝形成;
所述形成柵短路條的步驟之后還包括:
在所述形成有數據金屬層圖形的基板上形成鈍化層,通過構圖工藝形成鈍化層過孔;
在所述形成有鈍化層過孔的基板上形成第二透明導電層,通過構圖工藝形成像素電極,且所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。
10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,
所述第一透明導電層和第二透明導電層采用氧化銦錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或者銦摻雜氧化鋅薄膜。
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