[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制備方法

有效

• 申請號: 201210530472.9
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN103022083A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 徐利燕;張春兵
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 杜秀科

1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管器件，所述薄膜晶體管包括半導體有源層，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的半導體有源層的材質為微晶硅。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的源漏電極的材質為銅鉬合金。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的半導體有源層和源漏電極之間設置有歐姆接觸層，所述歐姆接觸層的材質為摻雜微晶硅。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的柵電極的材質為銅。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與漏電極電連接的像素電極，所述像素電極材質為氧化銦錫或銦鎵鋅氧化物。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在半導體有源層上形成源漏金屬層，所述源漏金屬層的材質為銅鉬合金；

在源漏金屬層上形成金屬鉬層；

對基板進行激光退火；

激光退火后，去除金屬鉬層，采用構圖工藝形成源漏電極。

8.如權利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在半導體有源層上形成源漏金屬層，具體為：

采用磁控濺射在半導體有源層上形成源漏金屬層。

9.如權利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在半導體有源層上形成源漏金屬層之前還包括：

在襯底基板上形成柵電極；

在形成柵電極的基板上形成覆蓋柵電極和基板的柵絕緣層；

在形成柵絕緣層的基板上形成位于柵電極上方的半導體有源層，以及位于半導體有源層之上的歐姆接觸層。

10.如權利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，采用構圖工藝形成源漏電極之后還包括：

形成位于源漏電極之上并覆蓋基板的鈍化層；

形成位于鈍化層之上且與漏電極電連接的像素電極。