[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210530472.9
• 申請(qǐng)日: 2012-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103022083A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐利燕;張春兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/04
• 分類號(hào): H01L29/04;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 杜秀科

1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管器件，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體有源層，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的半導(dǎo)體有源層的材質(zhì)為微晶硅。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的源漏電極的材質(zhì)為銅鉬合金。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的半導(dǎo)體有源層和源漏電極之間設(shè)置有歐姆接觸層，所述歐姆接觸層的材質(zhì)為摻雜微晶硅。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件的柵電極的材質(zhì)為銅。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與漏電極電連接的像素電極，所述像素電極材質(zhì)為氧化銦錫或銦鎵鋅氧化物。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體有源層上形成源漏金屬層，所述源漏金屬層的材質(zhì)為銅鉬合金；

在源漏金屬層上形成金屬鉬層；

對(duì)基板進(jìn)行激光退火；

激光退火后，去除金屬鉬層，采用構(gòu)圖工藝形成源漏電極。

8.如權(quán)利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體有源層上形成源漏金屬層，具體為：

采用磁控濺射在半導(dǎo)體有源層上形成源漏金屬層。

9.如權(quán)利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體有源層上形成源漏金屬層之前還包括：

在襯底基板上形成柵電極；

在形成柵電極的基板上形成覆蓋柵電極和基板的柵絕緣層；

在形成柵絕緣層的基板上形成位于柵電極上方的半導(dǎo)體有源層，以及位于半導(dǎo)體有源層之上的歐姆接觸層。

10.如權(quán)利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，采用構(gòu)圖工藝形成源漏電極之后還包括：

形成位于源漏電極之上并覆蓋基板的鈍化層；

形成位于鈍化層之上且與漏電極電連接的像素電極。