[發(fā)明專利]一種磷摻雜氧化鋅薄膜的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210530408.0
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN103866264B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張陽;盧維爾;董亞斌;解婧;李超波;夏洋
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/44
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種磷摻雜氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

原子層沉積設(shè)備通入含鋅源氣體和第一含氧源氣體，在所述原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔中的硅襯底表面生長氧化鋅薄膜；所述硅襯底的表面預(yù)先采用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法進(jìn)行清洗，在所述硅襯底表面形成硅醇鍵；

所述原子層沉積設(shè)備通入含磷源氣體和第二含氧源氣體，在所述氧化鋅薄膜表面生長磷氧鍵；

所述含鋅源氣體的進(jìn)氣時間為0.1s-1s，反應(yīng)時間為10s～60s；所述第一含氧源氣體和第二含氧源氣體的進(jìn)氣時間均為0.1s-1s，反應(yīng)時間均為10s～60s；所述含磷源氣體的進(jìn)氣時間為0.1s-1s，反應(yīng)時間為10s～60s；所述原子層沉積設(shè)備采用的載氣為氮氣；所述氮氣的流量為1sccm-1000sccm；所述原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔中用于承載硅襯底的基盤的溫度為50℃-400℃。

2.如權(quán)利要求1所述的磷摻雜氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含鋅源氣體為高揮發(fā)性、高純度的有機鋅化合物，包括二甲基鋅或二乙基鋅。

3.如權(quán)利要求1所述的磷摻雜氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一含氧源氣體和第二含氧源氣體均包括水蒸汽、臭氧或氧氣。

4.如權(quán)利要求1所述的磷摻雜氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含磷源氣體為高揮發(fā)性、高純度的有機磷化合物，包括三甲基磷或三乙基磷。

5.如權(quán)利要求1所述的磷摻雜氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：采用所述載氣吹掃所述原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔，載氣吹掃時間為30s-90s。