[發明專利]制作薄膜晶體管陣列基板的方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210530381.5
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN102983103A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 張學輝;薛建設;劉翔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術領域

本發明涉及有機薄膜晶體管技術，特別是指一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管(TFT)是采用半導體為有源層的邏輯單元器件，適用于柔性基板，適合大面積加工且工藝成本低，在平板、傳感器、存儲卡和射頻識別標簽等領域有廣泛的應用。

為降低薄膜晶體管陣列基板的制作成本，提高生產效率，薄膜晶體管陣列基板制作過程中的構圖工藝，逐漸發展為基于狹縫光刻技術的四次構圖工藝。

現有技術存在如下問題：采用基于狹縫光刻技術的四次構圖工藝制作薄膜晶體管陣列基板的過程仍然存在掩模板使用過多，生產效率低下的問題。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法、陣列基板和顯示裝置，減少用到的掩模板的數量，提高生產效率。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，包括：在玻璃基板上，形成一層透明導電薄膜，形成一層柵金屬薄膜，通過一次構圖工藝形成包括柵電極、柵線和第一透明電極的圖形；形成柵絕緣層薄膜、半導體層薄膜和鈍化層薄膜，通過一次構圖工藝形成包括半導體層和鈍化層的圖形；形成第二透明導電薄膜，之后形成源漏電極金屬薄膜，通過一次構圖形成包括源電極、漏電極、TFT溝道、數據線以及第二透明電極的圖形。

所述的方法中，通過一次構圖工藝形成包括柵電極、柵線和第一透明電極的圖形具體包括：旋涂一層光刻膠，采用半色調或者灰色調掩模板對光刻膠進行曝光顯影；光刻膠完全保留區域對應于形成包括所述柵電極和柵線PAD；光刻膠部分保留區域對應于形成包括所述第一透明電極的圖形；光刻膠完全去除區域是所述光刻膠完全保留區域和光刻膠部分保留區域之外的區域。

所述的方法中，通過一次構圖工藝形成包括柵電極、柵線和第一透明電極的圖形包括第一次刻蝕，所述第一次刻蝕包括：刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域的透明導電薄膜與柵金屬薄膜；對光刻膠進行灰化，去除掉所述光刻膠部分保留區域的光刻膠。

所述的方法中，通過一次構圖工藝形成包括柵電極、柵線和第一透明電極的圖形還包括第二次刻蝕，所述第二次刻蝕包括：刻蝕掉所述光刻膠部分保留區域的柵金屬薄膜，得到第一透明電極圖形。

所述的方法中，通過一次構圖工藝形成包括半導體層和鈍化層的圖形包括：采用旋涂的方式制備柵絕緣層薄膜，在80℃~100℃前烘1min~25min，100℃~160℃后烘1min~25min，直至所述柵絕緣層薄膜的厚度為300nm~1500nm；利用真空蒸發制備半導體層薄膜，半導體層薄膜厚度為40nm~150nm；利用旋涂方式制備鈍化層薄膜；旋涂一層光刻膠，采用半色調或者灰色調掩模板對光刻膠進行曝光顯影；光刻膠完全保留區域對應于形成鈍化層圖形；光刻膠部分保留區域對應于形成包括半導體層薄膜與源漏電極金屬薄膜接觸部分的圖形；光刻膠完全去除區域是光刻膠完全保留區域與光刻膠部分保留區域之外的區域。

所述的方法中，通過一次構圖工藝形成包括半導體層和鈍化層的圖形包括第一次刻蝕，所述第一次刻蝕包括：刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域的柵絕緣層薄膜、鈍化層薄膜和半導體層薄膜，以及暴露出柵線PAD；對光刻膠進行灰化，去除掉所述光刻膠部分保留區域的光刻膠。

所述的方法中，通過一次構圖工藝形成包括半導體層和鈍化層的圖形還包括第二次刻蝕，所述第二次刻蝕包括：刻蝕掉所述光刻膠部分保留區域的鈍化層薄膜，暴露出與源漏電極金屬薄膜的接觸部分；剝離掉光刻膠得到柵電極和柵線PAD。

所述的方法中，形成第二透明導電薄膜，之后形成源漏電極金屬薄膜，通過一次構圖形成包括源電極、漏電極、TFT溝道、數據線以及第二透明電極的圖形，包括：在玻璃基板上，沉積透明導電薄膜，然后沉積源漏電極金屬薄膜；旋涂一層光刻膠，用半色調或者灰色調掩模板對光刻膠進行曝光顯影；光刻膠完全保留區域對應于形成包括源電極、漏電極、數據線和柵線PAD，光刻膠部分保留區域對應于形成包括第二透明電極的圖形，光刻膠完全去除區域是光刻膠完全保留區域與光刻膠部分保留區域之外的區域。

所述的方法中，通過一次構圖形成包括源電極、漏電極、TFT溝道、數據線以及第二透明電極的圖形包括第一次刻蝕，所述第一次刻蝕包括：刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域的透明導電薄膜與源漏電極金屬薄膜；對光刻膠進行灰化，所述光刻膠部分保留區域的光刻膠被去除掉。

所述的方法中，通過一次構圖形成包括源電極、漏電極、TFT溝道、數據線以及第二透明電極的圖形還包括第二次刻蝕，所述第二次刻蝕包括：刻蝕掉所述光刻膠部分保留區域的源漏電極金屬薄膜，得到第二透明電極圖形。