[發明專利]一種芯殼結構納米線遂穿場效應器件

無效

• 申請號: 201210530199.X
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN102969365A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 何進;張湘煜;張愛喜;杜彩霞;朱小安
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究院
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/775;H01L29/06;B82Y10/00
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種芯殼結構納米線遂穿場效應器件，其特征在于，包括柵電極(6)，源區(1)，漏區(4)，中心區和柵介質層(5)，其中：

所述中心區為同軸對稱的芯殼結構，所述芯殼結構中的芯(3)為絕緣體材料，所述芯殼結構中的殼(2)為半導體材料；

所述柵介質層(5)全套入所述中心區，用于電隔離所述中心區和所述柵電極(6)；

所述柵電極(6)全套入所述柵介質層(5)；所述柵電極(6)、柵介質層(5)和中心區的長度均相等；

所述源區(1)和漏區(4)分別位于所述中心區兩側。

2.根據權利要求1所述場效應器件，其特征在于，所述芯(3)為氧化硅，所述殼(2)為磷或砷摻雜的硅材料。

3.根據權利要求2所述場效應器件，其特征在于，所述磷或砷摻雜的硅材料中，磷的摻雜濃度為10¹⁰cm^-3。

4.根據權利要求1所述場效應器件，其特征在于，所述源區(1)和漏區(4)為摻雜類型相反的重摻雜硅材料，均為減少寄生效應的。

5.根據權利要求4所述場效應器件，其特征在于，所述源區(1)為硼重摻雜的硅材料，所述漏區(4)為磷或砷重摻雜的硅材料；所述硼重摻雜的硅材料中，硼的摻雜濃度為1×10¹⁹～2×10²⁰cm^-3；所述磷或砷重摻雜的硅材料中，磷或砷的摻雜濃度為1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3。

6.根據權利要求1所述場效應器件，其特征在于，所述柵介質層(5)厚度為1.5～2.5納米。

7.根據權利要求1所述場效應器件，其特征在于，所述芯(3)的半徑為2-9納米，所述殼(2)的厚度為5-15納米。

8.根據權利要求7所述場效應器件，其特征在于，所述芯(3)的半徑為6或8納米，所述殼(2)的厚度為10納米。

9.根據權利要求7所述場效應器件，其特征在于，所述芯(3)的半徑為6納米，所述殼(2)的厚度為5納米。

10.根據權利要求1-9任一項所述場效應器件，其特征在于，所述芯殼結構納米線遂穿場效應器件是同軸對稱結構。