[發明專利]射頻橫向雙擴散場效應晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201210529908.2
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103050537A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 李娟娟;慈朋亮;錢文生;韓峰;胡君
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種射頻橫向雙擴散場效應晶體管，包括P型襯底，在所述P型襯底上生長P型外延層，在所述P型外延層中形成輕摻雜漂移區，在所述P型外延層上方設置有第一層法拉第盾及第二層法拉第盾，其特征在于，所述第一層法拉第盾及第二層法拉第盾為多晶硅法拉第盾。

2.如權利要求1所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，還包括位于所述P型外延層上方的柵極氧化層及多晶硅柵，位于所述P型外延層中的利用離子注入和擴散工藝分別形成的P阱、P+區域、N+源區及N+漏區，及P型多晶硅塞或金屬塞結構。

3.如權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述第一層法拉第盾處于所述多晶硅柵正上方的部分長度為0.1-0.3微米。

4.如權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述第二層法拉第盾處于所述多晶硅柵正上方的部分長度為0-0.3微米。

5.一種如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在P型襯底上生長P型外延層；經柵極氧化層生長后，淀積多晶硅，通過光刻板定義并刻蝕出多晶硅柵，在刻蝕完成后，進行一步較高能量的輕摻雜LDD的N型離子注入，形成輕摻雜漂移區；

步驟2、P阱的形成；

步驟3、P+區域、N+源區及N+漏區的形成；

步驟4、在所述P型外延層上整體淀積一層二氧化硅層，再淀積一層重摻雜的多晶硅，對所述多晶硅通過光刻刻蝕構成第一層法拉第盾；隨后，在所述第一層法拉第盾上再整體淀積一層二氧化硅層，而后淀積一層重摻雜的多晶硅，對所述多晶硅通過光刻刻蝕構成第二層法拉第盾；

步驟5、P型多晶硅塞或金屬塞結構的形成。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，步驟1中進行一步較高能量的輕摻雜LDD的N型離子注入，注入離子為磷或砷，能量為50-300keV，劑量為5e¹¹-4e¹²cm^-2。

7.如權利要求5所示的制造方法，其特征在于，步驟2中所述P阱的形成有兩種方式，一種是在多晶硅柵形成前通過注入與高溫推進形成，另一種是通過自對準工藝加高溫推進形成。

8.如權利要求7所示的制造方法，其特征在于，所述P阱，注入離子為硼，能量為30-80keV，劑量為1e¹²-1e¹⁴cm^-2。

9.如權利要求1所示的制造方法，其特征在于，步驟3中所述N+源區及N+漏區的形成，注入離子為磷或砷，能量為0-200keV，劑量為1e¹³-1e¹⁶cm^-2，所述P+區域的形成，注入離子為硼或二氟化硼，能量為0-100keV，劑量為1e¹³-1e¹⁶cm^-2。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟4中所述第一層法拉第盾，其長度為0.5-1.5微米，厚度為800-2500A，雜質為磷或砷，摻雜濃度為5e¹⁸-1e²⁰cm^-3；所述第二層法拉第盾，其長度為1.5-2.5微米，厚度為800-2500A，雜質為磷或砷，摻雜濃度為5e¹⁸-1e²0cm^-3。